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BSP612P
BSP612P

製品仕様情報

  • Ciss
    814 pF
  • Coss
    248 pF
  • ID max
    -3 A
  • IDpuls max
    -12 A
  • Ptot max
    1.8 W
  • QG
    -26.3 nC
  • RDS (on) max
    120 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    170 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V LL) max
    170 mΩ
  • VDS max
    -60 V
  • VGS(th)
    -2 V to -1 V
  • パッケージ
    SOT-223
  • ピン数
    4 Pins
  • モード
    Enhancement
  • 動作温度
    -55 °C to 150 °C
  • 実装
    SMD
  • 極性
    P
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
OptiMOS™ P-channel 60V small signal MOSFET in SOT-223 package.

機能

  • VDS= -60V
  • Very low on-resistance RDS(on)
  • 100% avalance tested
  • Logic level
  • AEC Q101 qualified

利点

  • Easy interface to MCU
  • Fast switching
  • Avalanche ruggedness

用途

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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