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BSC120N03LS G

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EA.
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BSC120N03LS G
BSC120N03LS G
EA.
データシート

製品仕様情報

  • Ciss
    920 pF
  • Coss
    390 pF
  • ID (@25°C) (最大)
    39 A
  • IDpuls (最大)
    156 A
  • Ptot (最大)
    28 W
  • QG (typ @4.5V)
    5.4 nC
  • QG (typ @10V)
    11 nC
  • RDS (on) (@4.5V) (最大)
    16.5 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V LL) (最大)
    16.5 mΩ
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    12 mΩ
  • RthJC (最大)
    4.5 K/W
  • Rth
    4.5 K/W
  • VDS (最大)
    30 V
  • VGS(th) (範囲)
    1 V ～ 2.2 V
  • VGS(th)
    1.74 V
  • パッケージ
    SuperSO8 5x6
  • 予算価格€/ 1k
    0.17
  • 動作温度 (範囲)
    -55 °C ～ 150 °C
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    Logic Level
推奨
OPN
BSC120N03LSGATMA1
製品ステータス active
インフィニオンパッケージ
PG-TDSON-8
パッケージ名 SuperSO8 5x6
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 個の在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TDSON-8
パッケージ名 SuperSO8 5x6
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
個の在庫あり
Ultra low gate and output charge, together with lowest on-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 25V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom and telecom applications. OptiMOS™ 30V products are tailored to the needs of power management in notebook by improved EMI behavior, as well as increased battery life. Available in halfbridge configuration (power stage 5x6)

特長

  • Ultra low gate and output charge
  • Lowest on-state resistance
  • Easy to design-in

利点

  • Increased battery lifetime
  • Improved EMI makes ext snubbers obsolete
  • Saving costs
  • Space saving
  • Reducing power losses
0

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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