BSC019N08NS5
新規設計非推奨
RoHS対応

BSC019N08NS5

OptiMOS™ 5 power MOSFET 80V best-in-class in SuperSO8
データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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BSC019N08NS5
BSC019N08NS5
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データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    237 A
  • IDpuls (最大)
    948 A
  • Ptot (最大)
    214 W
  • QG (typ @10V)
    94 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    1.9 mΩ
  • VDS (最大)
    80 V
  • VGS(th) 範囲
    2.2 V～3.8 V
  • VGS(th)
    3 V
  • バッテリー電圧
    36-48 V
  • パッケージ
    SuperSO8 5x6
  • 予算価格€/ 1k
    1.8
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 極性
    N
OPN
BSC019N08NS5ATMA1
製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
PG-TSON-8
パッケージ名 SuperSO8 FL
梱包サイズ 5000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
PG-TSON-8
パッケージ名 SuperSO8 FL
梱包サイズ 5000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
This OptiMOS™ 5 MOSFET in SuperSO8 enables high power density and improved robustness, responding to the need for lower system cost and increased performance. This product is specially designed for synchronous rectification for telecom and server power supplies. Low reverse-recovery charge (Qrr) improves the system reliability by reducing the voltage overshoot, minimizing the need for snubber circuits, resulting in cost savings.

特長

  • Lowest RDS(on) enables highest power density and efficiency
  • Higher operating temperature rating to 175° C for increased reliability
  • Low RthJC for excellent thermal behavior
  • Lower reverse recovery charge (Qrr)

利点

  • Lower full load temperature
  • Less paralleling
  • Reduced overshoot
  • Increased system power density
  • Smaller size
  • System cost reduction
  • Engineering costs and effort reduction
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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