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RoHS準拠
鉛フリー

BGS12P2L6

データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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BGS12P2L6
BGS12P2L6
EA.
データシート

Product details

  • Pmax max
    38 dBm
  • スイッチ タイプ
    SPDT
  • 制御インターフェース
    GPIO
  • 周波数範囲
    0.05 - 6.0 GHz
  • 挿入損失 (@1GHz)
    0.25 dB
  • 絶縁 (@1GHz)
    45 dB
  • 電源電圧
    1.65 - 3.4 V
推奨
OPN
BGS12P2L6E6327XTSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
TSLP-6-4
パッケージ名 N/A
包装サイズ 15000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
TSLP-6-4
パッケージ名 -
包装サイズ 15000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
The BGS12P2L6 is a general purpose high power SPDT switch, designed to cover a broad range applications from 0.05 to 6 GHz and therefore excellent for 5G sub-6 GHz. Its outstanding RF performance optimizes the transmitting path (TRx) of LTE/5G mobile phones. The chip integrates on-chip CMOS logic driven by a simple, single-pin CMOS or TTL compatible control input signal. Unlike GaAs technology, external DC blocking capacitors at the RF ports are only required if DC voltage is applied externally. The BGS12P2L6 RF switch is manufactured in Infineon’s patented MOS technology, offering the performance of GaAs with the economy and integration of conventional CMOS including the inherent higher ESD robustness. The device has a very small size of only 0.7 x 1.1 mm2 and a maximum height of 0.31 mm.

機能

  • RF CMOS SPDT RF switch with power handling capability of up to 37 dBm
  • Suitable for multi-mode LTE and 5G applications
  • Low insertion loss and harmonics generation
  • 0.05 to 6 GHz coverage
  • High port-to-port isolation
  • No blocking capacitors required if no DC applied on RF lines
  • On-chip control logic
  • Leadless and halogen free package TSLP-6-4
  • Size: 0.7 x 1.1 mm2 and thickness of 0.31 mm
  • No power supply decoupling required
  • High EMI robustness
  • RoHS and WEEE compliant package

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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