新規設計は非推奨
RoHS準拠
鉛フリー

BFP760

データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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BFP760
BFP760
EA.
データシート

製品仕様情報

  • Gmax
    28 dB @900 MHz
  • IC max
    70 mA
  • NFmin
    0.50 dB @900 MHz
  • OIP3
    27 dBm @900 MHz
  • OP1dB
    14 dBm @900 MHz
  • VCEO max
    4 V
  • パッケージ
    SOT343
OPN
BFP760H6327XTSA1
製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
SOT343-4-2
パッケージ名 N/A
包装サイズ 3000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
SOT343-4-2
パッケージ名 -
包装サイズ 3000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
The BFP760 is a Silicon Germanium Carbon (SiGe:C) NPN Heterojunction wideband Bipolar RF Transistor (HBT).

機能

  • Low noise figure NFmin =  0.95 dB @ 5.5 GHz, 3 V, 10 mA
  • High gain Gms = 16.5 dB at 5.5 GHz, 3 V, 30 mA
  • OIP3 = 27 dBm @ 5.5 GHz, 3 V, 30 mA

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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