{
"default" : {
"title" : "ログインまたは新規登録",
"description" : "既存アカウントでログイン、または新規登録をしてください。"
},
"bookmark" : {
"title" : "ログインまたはブックマークに登録",
"description" : "このページをブックマークすると、myInfineonダッシュボードに保存され、簡単にアクセスできるようになります。既存アカウントでログイン、または新規登録をしてください。"
},
"gated_document" : {
"title" : "ログインまたは新規登録をしてダウンロード",
"description" : "このドキュメントにアクセスするには、myInfineonアカウントが必要です。既存アカウントでログイン、または新規登録をしてください。"
},
"gated_video" : {
"title" : "ログインまたは新規登録をして動画を視聴",
"description" : "この動画をご覧になるには、myInfineonアカウントが必要です。既存アカウントでログイン、または新規登録をしてください。"
},
"event_registration" : {
"title" : "ログインまたは新規登録をしてイベントに登録",
"description" : "このイベントに登録するには、myInfineonアカウントが必要です。既存アカウントでログイン、または新規登録をしてください。"
},
"board_registration" : {
"title" : "ログインまたは新規登録をしてボードを登録",
"description" : "このボードを登録するには、myInfineonアカウントが必要です。既存アカウントでログイン、または新規登録をしてください。"
},
"block_diagram" : {
"title" : "ログインまたは新規登録をしてブロック図を保存",
"description" : "このブロック図を保存すると、リンクが作成され、myInfineonダッシュボードに保存されます。既存アカウントでログイン、または新規登録をしてください。"
},
"contact_sales" : {
"title" : "ログインまたは新規登録をして、営業担当者からサポートを受ける",
"description" : "アカウントを作成すると、適切な営業担当者とお客様をマッチングし、パーソナライズされたサポートを受けることができます。既存アカウントでログイン、または新規登録をしてください。"
},
"subscribe_to_newsletter" : {
"title" : "ログインまたは新規登録をして、マーケティングメールを受信",
"description" : "メール配信に登録するには、myInfineonアカウントが必要です。既存アカウントでログイン、または新規登録をしてください。"
},
"add_to_cart" : {
"title" : "ログインまたは新規登録をして、商品をカートに追加",
"description" : "カートにアクセスするには、myInfineonアカウントが必要です。既存アカウントでログイン、または新規登録をしてください。"
},
"request_sample" : {
"title" : "無料サンプルをご注文ください！",
"description" : "無料サンプルを注文するためには、企業または大学のメール アドレスのアカウントでログインするか、アカウントを作成してください。"
}
}
BFP640ESD
EA.
製品仕様情報
-
fT45 GHz
-
Gmax28 dB @900 MHz
-
IC (最大)50 mA
-
NFmin0.60 dB @900 MHz
-
OIP327 dBm
-
OP1dB12 dBm
-
Ptot200 mW
-
VCEO (最大)4.1 V
-
パッケージSOT343
|
OPN
|
BFP640ESDH6327XTSA1 | |
|---|---|---|
| 製品ステータス | not for new design | |
| インフィニオンパッケージ | ||
| パッケージ名 | N/A | |
| 包装サイズ | 3000 | |
| 包装形態 | TAPE & REEL | |
| 水分レベル | 1 | |
| モイスチャーパッキン | NON DRY | |
| 鉛フリー | Yes | |
| ハロゲンフリー | Yes | |
| RoHS準拠 | Yes | |
|
Infineon stock last updated:
|
EA. 個の在庫あり | |
|
|
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|
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|
| 製品ステータス | not for new design |
|---|---|
| インフィニオンパッケージ | |
| パッケージ名 | - |
| 包装サイズ | 3000 |
| 包装形態 | TAPE & REEL |
| 水分レベル | 1 |
| モイスチャーパッキン | NON DRY |
| 鉛フリー | |
| ハロゲンフリー | |
| RoHS対応 | |
EA.
個の在庫あり
The BFP640ESD is a Silicon Germanium Carbon (SiGe:C) NPN Heterojunction wideband Bipolar RF Transistor (HBT) in a plastic dual emitter standard package with visible leads. The device is fitted with internal protection circuits, which enhance robustness against ESD and high RF input power strongly. The device combines robustness with very high RF gain and lowest noise figure at low operation current for use in a wide range of wireless applications. The BFP640ESD is especially well-suited for portable battery-powered applications in which reduced power consumption is a key requirement. Device design supports collector voltages up to 4.1 V.
特長
- Robust high performance low noise amplifier based on Infineon´s reliable, high volume SiGe:C wafer technology
- 2 kV ESD robustness (HBM) due to integrated protection circuits
- High maximum RF input power of 21 dBm
- 0.65 dB minimum noise figure typical at 1.5 GHz, 0.7 dB at 2.4 GHz, 6 mA
- 26.5 dB maximum gain Gms typical at 1.5 GHz, 23 dB at 2.4 GHz, 30 mA
- 27 dBm OIP3 typical at 2.4 GHz, 30 mA
- Accurate SPICE GP model available to enable effective design in process (see chapter 6)
- Easy to use, Pb- and halogen free (RoHS compliant) standard package with visible leads