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BFP640ESD
生産終了
生産終了
RoHS対応
鉛フリー

BFP640ESD

生産終了
データシート
パッケージ

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BFP640ESD
BFP640ESD
データシート

製品仕様情報

  • fT
    45 GHz
  • Gmax
    28 dB @900 MHz
  • IC (最大)
    50 mA
  • NFmin
    0.60 dB @900 MHz
  • OIP3
    27 dBm
  • OP1dB
    12 dBm
  • Ptot
    200 mW
  • VCEO (最大)
    4.1 V
  • パッケージ
    SOT343
OPN
BFP640ESDH6327XTSA1
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
SOT343
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 3000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
SOT343
パッケージ名 -
梱包サイズ 3000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
The BFP640ESD is a Silicon Germanium Carbon (SiGe:C) NPN Heterojunction wideband Bipolar RF Transistor (HBT) in a plastic dual emitter standard package with visible leads. The device is fitted with internal protection circuits, which enhance robustness against ESD and high RF input power strongly. The device combines robustness with very high RF gain and lowest noise figure at low operation current for use in a wide range of wireless applications. The BFP640ESD is especially well-suited for portable battery-powered applications in which reduced power consumption is a key requirement. Device design supports collector voltages up to 4.1 V.

特長

  • Robust high performance low noise amplifier based on Infineon´s reliable, high volume SiGe:C wafer technology
  • 2 kV ESD robustness (HBM) due to integrated protection circuits
  • High maximum RF input power of 21 dBm
  • 0.65 dB minimum noise figure typical at 1.5 GHz, 0.7 dB at 2.4 GHz, 6 mA
  • 26.5 dB maximum gain Gms typical at 1.5 GHz, 23 dB at 2.4 GHz, 30 mA
  • 27 dBm OIP3 typical at 2.4 GHz, 30 mA
  • Accurate SPICE GP model available to enable effective design in process (see chapter 6)
  • Easy to use, Pb- and halogen free (RoHS compliant) standard package with visible leads

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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