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AIMDQ75R020M1H

The CoolSiC™ Automotive MOSFET 750 V G1 is a highly robust SiC MOSFET for the best system performance and reliability.
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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AIMDQ75R020M1H
AIMDQ75R020M1H
EA.
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    81 A
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    20 mΩ
  • VDS max
    750 V
  • パッケージ
    Q-DPAK
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 実装
    SMT
  • 技術
    CoolSiC™ G1
  • 極性
    N
  • 認定
    Automotive
推奨
OPN
AIMDQ75R020M1HXUMA1
製品ステータス active
インフィニオンパッケージ
PG-HDSOP-22
パッケージ名 Q-DPAK
包装サイズ 750
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-HDSOP-22
パッケージ名 Q-DPAK
包装サイズ 750
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
The CoolSiC™ Automotive MOSFET 750 V G1 leverages more than 20 years of SiC experience in Infineon.  It offers an edge in performance, reliability and robustness, with gate driving flexibility, enabling the simplified and cost effective system design for top efficiency and power density. The innovative top-side-cooling package further enhance the CoolSiC™ 750 V strengths offering more density, optimized power loop design and less system and assembly cost.

機能

  • Highly robust 750 V technology
  • Best-in-class RDS(on) x Qfr
  • Excellent Ron x Qoss and Ron x QG
  • Low Crss/Ciss together and high Vgsth
  • 100% avalanche tested 
  •  .XT interconnection technology for best-in-class thermal performance
  • Cutting-edge top-side-cooled package

利点

  • Superior efficiency in hard switching
  • Enables higher switching frequency
  • Higher reliability
  • Withstand bus voltages beyond 500 V
  • Robustness against parasitic turn
  • Unipolar driving
  • Best-in-class thermal dissipation

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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