Active and preferred
RoHS準拠

AIKYX200N75CP2

750V、200A EDT2 IGBT、反並列ダイオード搭載、リフローはんだ付け可能パッケージTO247PLUS 4ピン
EA.
在庫あり

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AIKYX200N75CP2
AIKYX200N75CP2
EA.

Product details

  • Co-pack ダイオード技術
    EMCON3
  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Eon
    7.6 mJ
  • IC (@ 25°) max
    250 A
  • IC (@ 100°) max
    200 A
  • ICpuls max
    600 A
  • IF max
    200 A
  • IFpuls max
    600 A
  • Irrm
    68.4 A
  • Ptot max
    938 W
  • QGate
    1270 nC
  • Qrr
    6.1 nC
  • td(off)
    268 ns
  • td(on)
    79 ns
  • tf
    58 ns
  • tr
    44 ns
  • VCE(sat)
    1.37 V
  • VCE max
    750 V
  • VF
    1.8 V
  • スイッチング周波数
    7kHz - 15kHz
  • パッケージ
    TO-247PLUS-4
  • リフローはんだ付け可能
    Yes
  • 技術
    EDT2
  • 発売年
    2024
  • 種類
    IGBT + Diode
OPN
AIKYX200N75CP2ALSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 N/A
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル 2
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 -
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル 2
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
750V EDT2技術を採用した4ピンTO247PLUSパッケージに収められたAIKYX200N75CP2ディスクリートIGBTは、車載アプリケーションに最適です。最大470Vのバッテリ電圧をサポートし、安全な高速スイッチングをサポートし、3ピンデバイスと比較してターンオンエネルギー損失を30%削減します。認定されたリフローはんだ付け可能なパッケージにより、システムレベルで最大40%優れた熱伝導率と最大出力を実現する革新的なアセンブリソリューションが可能になります。

機能

  • クラス最高の750V TO247PLUS
  • 470V VDCシステムに適しています
  • 非常に低いVCEsat
  • 短絡抵抗性 tsc = 3 μs
  • 260°C
  • 自己制限短絡電流
  • 非常にタイトなパラメータ分布
  • 低ゲート電荷QG
  • ワイド電源ピン2mm
  • 抵抗溶接ピン
  • 高沿面距離
  • AEC-Q101

利点

  • Benchmarkの品質&スイッチング動作
  • 自動車の要件に最適
  • 優れた並列動作
  • 高い信頼性と動作寿命
  • 低スイッチング損失と冷却努力
  • さまざまな電力クラス - 同じパッケージ
  • Power のスケーラビリティとコスト最適化
  • リフローはんだ付けによる高出力
  • システムレベルでのアンペアあたりの低コスト
  • 低EMIシグネチャ
  • シンプルなゲートドライブ設計
  • ケルビンエミッタ

用途

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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