新規設計は非推奨
RoHS準拠

AIKB15N65DH5

小型SMDパッケージの高速スイッチング・アプリケーション向けのワールドクラスの低コスト電力
データシート
パッケージ

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AIKB15N65DH5
AIKB15N65DH5
データシート

Product details

  • Co-pack ダイオード技術
    RAPID1
  • IC (@ 100°) max
    15 A
  • IC (@ 25°) max
    30 A
  • VCE(sat)
    1.65 V
  • VCE max
    650 V
  • スイッチング周波数
    15-100 kHz
  • パッケージ
    D2PAK (TO-263-3)
  • リフローはんだ付け可能
    Yes
  • 技術
    IGBT TRENCHSTOP™ 5
  • 発売年
    2020
  • 種類
    IGBT + Diode
  • 電圧クラス max
    650 V
OPN
AIKB15N65DH5ATMA1
製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
PG-TO263-3
パッケージ名 D2PAK (TO-263-3)
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
PG-TO263-3
パッケージ名 D2PAK (TO-263-3)
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
インフィニオンのH5/F5最適化を搭載した650V TRENCHSTOP™ 5 AUTOテクノロジーは、電気自動車とハイブリッド車のエネルギー効率を優先します。そのIGBTテクノロジーは優れた効率を提供し、EVの航続距離の延長、バッテリーの小型化、ハイブリッドの燃料消費量の削減に貢献します。さらに、SMDハウジングはIGBTソリューションのコストを削減し、自動化を通じて品質管理を強化します。

機能

  • TRENCHSTOP™ 5テクノロジー、低VCEsat、H5バリアント(高速バリアント)として最適化、ソフトなスイッチング動作によりデザインイン
  • 650Vブレークダウン電圧、30A公称電流
  • RAPID-1高速およびソフトアンチパラレルダイオード
  • 超高速スイッチング(最大150kHz)
  • Automotiveに準拠。インフィニオンの品質基準
  • 最大接合部温度175°C
  • 最高効率
  • 非常に低い導通損失
  • 非常に低いスイッチング損失
  • 非常に低いジャンクション温度とケース温度
  • SMD D2PAKパッケージにより、組み立てコストを抑え、電力密度を向上
  • 非常に堅牢

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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