6ED2230S12C
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

6ED2230S12C

1200 V, 0.65 A three phase gate driver IC bare die with integrated bootstrap diode and over current protection

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6ED2230S12C
6ED2230S12C

製品仕様情報

  • VBS UVLO (On)
    10.4 V
  • VBS UVLO (Off)
    9.4 V
  • VCC UVLO (Off)
    10.4 V
  • VCC UVLO (On)
    11.4 V
  • アイソレーション タイプ
    Functional levelshift SOI (Silicon On Insulator)
  • コンフィギュレーション
    Three Phase
  • チャネル
    6
  • 伝搬遅延オフ
    650 ns
  • 伝搬遅延オン
    700 ns
  • 入力 Vcc 範囲
    10 V~20 V
  • 出力電流 (Source)
    0.35 A
  • 出力電流 (Sink)
    0.65 A
  • 製品名
    6ED2230S12C
  • 認定
    Industrial
  • 電圧クラス
    1200 V
OPN
6ED2230S12CX7SA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ --
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 1
梱包形態 HORIZONTAL FRAME SHIPPER
MSL (湿度感受性レベル) N/A
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ --
パッケージ名 -
梱包サイズ 1
梱包形態 HORIZONTAL FRAME SHIPPER
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
EiceDRIVER™ 1200 V three-phase gate driver with 0.35 A source and 0.65 A sink currents is offered in Wafer-on-Film. Utilizing our 1200 V SOI technology, 6ED2230S12C provides unique advantages including low-ohmic integrated bootstrap-diode (BSD) and best-in-class robustness to protect against negative transient voltage spikes. It is for designs up to about 6 kW. Contact our sales offices for sample wafer purchase.

特長

  • 1200-V Thin-Film-SOI technology
  • Integrated Ultra-fast Bootstrap Diode
  • Tolerant to -Vs 100V transient spike
  • Source/sink current 0.35 A/0.65 A
  • Over current protection (+/- 5%)
  • Integrated dead-time protection
  • Shoot-through protection
  • Independent UVLO for VCC and VBS
  • Fault and Enable on the same pin
  • Channels propagation delay matched
  • 3.3 V, 5 V, 15 V input logic

利点

  • Integrated BS diode for cost savings
  • 100 V -VS for increased reliability
  • 50% less on level shift power loss
  • Integrated protection for cost saving
  • UVLO protection at low supply voltage
ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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