2EDF5215F
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

2EDF5215F

Fast, robust, dual-channel, high side isolated gate driver with accurate and stable timing and high current output
データシート
パッケージ
ボード
個.
在庫あり

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2EDF5215F
2EDF5215F
個.
データシート

製品仕様情報

  • アイソレーション タイプ
    High-Side Galvanic isolation - Functional
  • コンフィギュレーション
    Half Bridge: High-side and low-side
  • チャネル
    2
  • パッケージ
    PG-DSO-8
  • 伝搬遅延オフ 範囲
    30 ns～46 ns
  • 伝搬遅延オフ
    36 ns
  • 伝搬遅延オン 範囲
    33 ns～47 ns
  • 伝搬遅延オン
    38 ns
  • 出力電流
    5 A
  • 認定
    Industrial
  • 電圧クラス
    250 V
推奨
OPN
2EDF5215FXUMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 2500
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 -
梱包サイズ 2500
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
Designed to drive low-side and high-side MOSFETs, a strong output stage, together with a low part-to-part skew and fast signal propagation, makes these products ideal for use in fast-switching power systems. The outputs are matched with a maximum 4 ns propagation delay enabling the use of lower dead-time in half-bridge and perfect synchronization in diagonal driving.

特長

  • 250 V high and low-side gate driver
  • -250 V negative HS transient immunity
  • 100 V/ns dV/dt robustness
  • 5 A / 9 A source / sink capability
  • +9 ns /-5 ns delay accuracy
  • 4 ns max delay matching
  • 1.2 V output clamping threshold in UVLO
  • <2 μs fast start-up time

利点

  • High-side channel isolation
  • Flexible: Independent channels
  • robustness against ground noise
  • Great signal synchronization
  • Reliable for high switching frequencies
  • Safe operation during system start-up
  • Optimal operation in bootstrap supply

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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