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KIT_1EDB_AUX_GAN

Isolated Gate Driver IC with a configurable floating unipolar or bipolar auxiliary supply for GaN HEMTs
アプリケーションノート
EA.
在庫あり

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KIT_1EDB_AUX_GAN
KIT_1EDB_AUX_GAN
EA.
アプリケーションノート

製品詳細

  • Pout
    0.07 W to 1 W
  • インターフェース
    Pads with 1.27mm pitch
  • サブアプリケーション
    Industrial
  • トポロジー
    Use-case is to drive GaN with isolated unipolar or bipolar driving
  • ファミリー
    Gate Driver
  • 入力タイプ
    DC
  • 出力電圧
    9 V to 11.5 V
  • 出力電流
    6 mA to 110 mA
  • 周波数
    700 kHz to 1400 kHz
  • 実装
    Direct soldering into an 8-pin footprint or plug-in via 1.27mm pitch connector
  • 寸法
    8,47mm x 17,55mm x 2,8mm
  • 対象アプリケーション
    Industrial power supplies (SMPS, Residential UPS), Solar micro inverter, EV Off-board chargers, Server and Telecom switch-mode power supplies (SMPS)
  • 認定
    Industrial
  • 電源電圧
    11.4 V to 12 V
推奨
OPN
KIT1EDBAUXGANTOBO1
製品ステータス active
インフィニオンパッケージ --
パッケージ名 N/A
包装サイズ 1
包装形態 CONTAINER
水分レベル N/A
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ --
パッケージ名 -
包装サイズ 1
包装形態 CONTAINER
水分レベル -
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
KIT_1EDB_AUX_GaN is a complete driving solution for GaN HEMTs , including an isolated Gate Driver IC and its floating auxiliary supply. The isolated auxiliary supply can support unipolar or bipolar driving with typical levels easily configurable by means of one resistor. The KIT_1EDB_AUX_GaN is available on request. Please contact our support.

機能

  • Up to 1.5 W output power to cover use-case scenarios with different GaN and switching frequencies
  • Optimized for bipolar driving levels typical of GaN HEMTs
  • Isolated driving solution with high CMTI for GaN HEMTs

利点

  • A compatible footprint allows easy plug-in in existing boards including single channel isolated gate drivers
  • Complete compact and cost optimized driving solution
  • Driving levels easily configurable by means of one resistors

用途

Bill of Material

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション