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比類ない信頼性、多様な製品ラインナップ、システムの利点。それがインフィニオンのSiC技術です!

炭化ケイ素 (SiC) 技術開発で20年以上の実績があるパワー半導体のリーディング サプライヤーとして、よりスマートで効率的な発電、送電、消費ニーズに応える準備が整っています。インフィニオンの専門家は、システムの複雑さを軽減するのに何が必要なのか理解しており、中・大電力システムのシステムコストとサイズ削減に導きます。

CoolSiC™について

豊富な製品ラインナップにより、最高レベルの品質基準の達成、システムの長寿命化と高い信頼性が保証されています。 インフィニオンは、完全なサプライチェーンを持ち、シリコン (Si)、窒化ガリウム (GaN)、炭化ケイ素 (SiC) の包括的な設計サポートを提供しています。

炭化ケイ素（SiC）の信頼できるサプライヤーのインフィニオンとパートナーを組み、お客様の個別の設計やシステムの要件に関わらず、技術革新に積極的にご参加ください。

CoolSiC™技術の詳細 CoolSiC™ターゲットアプリケーション
CoolSiC™ JFET技術

インフィニオンのCoolSiC™ JFET技術を選択することで、お客様はパワーエレクトロニクスの未来を形作る大変革の担い手となることができます。

CoolSiC™ JFETの詳細

シリコンカーバイドソリューションの詳細

インフィニオンは、既存のシリコンデバイスに加えて、トレンチ技術を用いた革新的なCoolSiC™ MOSFETなど、炭化ケイ素 (SiC) のラインナップを継続的に拡大しています。現在、インフィニオンは、超低電圧から高電圧のパワーデバイスまで、業界で最も包括的なパワー半導体のラインアップの一つをを提供しています。

インフィニオンは、最適なソリューションを確実に提供するのみならず、特定のアプリケーション要件を満たすために、SiCベースの製品をさらに最適化しています。 CoolSiC™ MOSFETのような超高速スイッチングパワートランジスタは、絶縁型ゲートドライバーを使用することで、より簡単に取り扱うことができます。インフィニオンではコアレス トランス技術を採用した、ガルバニック絶縁型のEiceDRIVER™ゲートドライバーICをお客様に提供します。

インフィニオンは近年、数百万個のハイブリッドモジュール (シリコンベースの高速スイッチとCoolSiC™ ショットキー ダイオードの組み合わせ)を製造しており、優れた技術的専門知識を積み上げ、キャパシティを増加し、技術的リーダーシップの地位をさらに強化しています。

ご登録いただき、SiCのエキスパートになってください
SiC MOSFET用のゲートドライバソリューションをご覧ください
CoolSiC™ MOSFET Generation 2

トレンチ技術を採用した新しいCoolSiC™ MOSFET G2は、SiC技術に新たなレベルの高性能をもたらしました。一般的な電力変換スキームであるAC/DC、DC/DC、DC/ACを組み合わせ、最高の品質基準を満たしています。太陽光発電インバーター、蓄電システム、EV充電、産業用電源、モーター駆動など、SiC MOSFETがSiの代替品に比べて、高い性能を提供する多くのユースケースがあります。

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CoolSiC™に関するビデオを見る

炭化ケイ素は鉄道輸送のイノベーションの推進に貢献するのでしょうか?

今回の「Ask the Expert」では、当社の専門家であるセバスチャンが、より効率的でコンパクトなトラクションコンバーターを炭化ケイ素がいかに実現し、鉄道輸送の電化と脱炭素化に対応するのか、ご説明します。

インフィニオンは20年以上にわたり、製品の省エネ、小型化、システム統合、信頼性向上の要求に対応するソリューションの開発の最前線に立ってきました。最も革新的な開発の1つは、一部のデバイスでSiCを主化合物として使用することでした。インフィニオンは、世界初の炭化ケイ素 (SiC) ディスクリート半導体製品のサプライヤーです。SiC技術と商品化における世界的なパイオニアです。このトレーニングでは、インフィニオンがこの分野で開発した、最も成功したソリューションの1つを紹介します。

インフィニオンは20年以上にわたり、製品の省エネ、小型化、システム統合、信頼性向上の要求に対応するソリューションの開発の最前線に立ってきました。最も革新的な開発の1つは、一部のデバイスでSiCを主化合物として使用することでした。インフィニオンは、世界初の炭化ケイ素 (SiC) ディスクリート半導体製品のサプライヤーです。SiC技術と商品化における世界的なパイオニアです。このトレーニングでは、インフィニオンがこの分野で開発した、最も成功したソリューションの1つを紹介します。

持続可能なエネルギーの生成と消費における変革をリードするには、シリコンカーバイド技術を戦略的な中核に据えて、この分野の主要市場動向に対処すべきなのはご存じのとおりです。このビデオでは、インフィニオンのSiCデバイスを選択すべき5つの理由をご紹介します。

このビデオでは、お客様の目を通して見たCoolSiC™の利点に焦点を当てています。このビデオでは、alpitronic、Tritium、Lite-On、Siemens Mobility、Froniusの事例を交えながら、当社の炭化ケイ素 (SiC) デバイスが発電、蓄電、消費におけるイノベーションをいかに推進するのかご覧ください。

このトレーニングでは、SiC Easyモジュール用にDCリンクを最適化することの重要性に焦点を当て、DCリンクの寄生素子の大きな影響を調査し、DCリンクをEasyモジュールに接続するための主要な考慮事項について詳しく説明します。

勝利を収めたチーム:CoolSiC™ MOSFETとEiceDRIVER™

SiC MOSFETを使用してシステムのメリットを最大限に引き出すためには、インフィニオンのCoolSiC™ MOSFETをインフィニオンのEiceDRIVER™ゲートドライバーICで補完し、SiC技術の利点を十分に活用することをお勧めします。効率の向上、スペースと重量の節約、部品数の削減、システムの信頼性の向上がプラスの効果を発揮します。

お客様は、以下のようなEiceDRIVER™ゲートドライバータイプからお選びいただけます。

  • シングルチャネル ハイサイド コンパクト ゲート ドライバー
  • 短絡保護を備えたシングルおよびデュアル出力拡張ドライバー
  • 最も過酷な要件に対応するスルーレート制御ハイサイドドライバー
EiceDRIVER™ ゲートドライバIC

20年以上にわたり市場で実績がある、信頼できるパートナー

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