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概要

CoolSiC™ ハイブリッドデバイス

SiC ダイオードをSi IGBT と組み合わせて使用することで、ハイブリッド パワーデバイスでIGBT テクノロジーの機能を次のレベルの効率に拡張できます。CoolSiC™ハイブリッド製品は、純粋なSi ソリューションと高性能の完全なSiC MOSFET 設計の間で、価格と性能の架け橋となります。

CoolSiC™ ハイブリッドディスクリート: 利用可能なディスクリート設計をより高い効率に高速プラグ アンド プレイでアップグレードします– 経験則として、10 kHzごとに0.1 %の効率向上–たとえば、23 kHzの動作周波数で0.23 %の効率が向上します。

CoolSiC™ハイブリッドモジュール: 純粋なシリコンを使用したソリューションとシリコンカーバイドソリューションの間の理想的な架け橋となります。これらは、IGBTチップとSiCダイオードを組み合わせて、IGBTテクノロジーの電力密度をさらに拡張します。

SiC MOSFETに匹敵する超低スイッチング損失

SiC ダイオードと共にパッケージングされた CoolSiC™ハイブリッドデバイスは、ほぼ同じdV/dt およびdi/dt 値でスイッチング損失を大幅に低減します。ケルビンエミッタ4ピンパッケージの超高速IGBT は、より高いdV/dt またはdi/dt 値(したがってEMCの悪化)を犠牲にしてスイッチング損失を低減します。高速スイッチングS5 TRENCHSTOP™ 5 650V IGBT または超高速スイッチングH5 TRENCHSTOP™ 5 IGBTは、FWDの第6世代 SiCダイオードと共にTO-247 4ピンパッケージに搭載されています。ディスクリートポートフォリオに加えて、最新のTRENCHSTOP™テクノロジーS7およびH5とCoolSiC™ショットキーダイオードを搭載した、高さ12 mmでベースプレートレスなクラス最高のEasyモジュールを提供しています。

主な機能と主な利点

CoolSiC™ ハイブリッドデバイスには、スイッチング損失の大幅な低減などが主な特長であり、SiC MOSFET のような高効率および費用対効果が高く「より安全な」代替品、および既存のIGBT ソリューションのプラグアンドプレイでの置き換えを可能にします。

主な特長は、ジャンクション温度の低減、スイッチング周波数の増加、高いシステム効率を維持しながら競争力のあるBOM、およびcaの効率向上です。スイッチング周波数10 kHzごとに0.1 %

CoolSiC™ ハイブリッドデバイス

SiC ダイオードをSi IGBT と組み合わせて使用することで、ハイブリッド パワーデバイスでIGBT テクノロジーの機能を次のレベルの効率に拡張できます。CoolSiC™ハイブリッド製品は、純粋なSi ソリューションと高性能の完全なSiC MOSFET 設計の間で、価格と性能の架け橋となります。

CoolSiC™ ハイブリッドディスクリート: 利用可能なディスクリート設計をより高い効率に高速プラグ アンド プレイでアップグレードします– 経験則として、10 kHzごとに0.1 %の効率向上–たとえば、23 kHzの動作周波数で0.23 %の効率が向上します。

CoolSiC™ハイブリッドモジュール: 純粋なシリコンを使用したソリューションとシリコンカーバイドソリューションの間の理想的な架け橋となります。これらは、IGBTチップとSiCダイオードを組み合わせて、IGBTテクノロジーの電力密度をさらに拡張します。

SiC MOSFETに匹敵する超低スイッチング損失

SiC ダイオードと共にパッケージングされた CoolSiC™ハイブリッドデバイスは、ほぼ同じdV/dt およびdi/dt 値でスイッチング損失を大幅に低減します。ケルビンエミッタ4ピンパッケージの超高速IGBT は、より高いdV/dt またはdi/dt 値(したがってEMCの悪化)を犠牲にしてスイッチング損失を低減します。高速スイッチングS5 TRENCHSTOP™ 5 650V IGBT または超高速スイッチングH5 TRENCHSTOP™ 5 IGBTは、FWDの第6世代 SiCダイオードと共にTO-247 4ピンパッケージに搭載されています。ディスクリートポートフォリオに加えて、最新のTRENCHSTOP™テクノロジーS7およびH5とCoolSiC™ショットキーダイオードを搭載した、高さ12 mmでベースプレートレスなクラス最高のEasyモジュールを提供しています。

主な機能と主な利点

CoolSiC™ ハイブリッドデバイスには、スイッチング損失の大幅な低減などが主な特長であり、SiC MOSFET のような高効率および費用対効果が高く「より安全な」代替品、および既存のIGBT ソリューションのプラグアンドプレイでの置き換えを可能にします。

主な特長は、ジャンクション温度の低減、スイッチング周波数の増加、高いシステム効率を維持しながら競争力のあるBOM、およびcaの効率向上です。スイッチング周波数10 kHzごとに0.1 %

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