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概要

CoolSiC™ MOSFETなどの650 Vおよび1200 Vの超高速スイッチングパワートランジスタは、通常、ガルバニック絶縁を内蔵したゲートドライバICによって駆動するのが最適です。
これらのゲートドライバには、広い出力側電源範囲、拡張CMTI機能、アクティブミラークランプ、入力から出力へのガルバニック絶縁など、SiC MOSFETの駆動に通常推奨される最も重要な主要機能とパラメータが組み込まれています。

主な機能
  • 厳密な伝搬遅延マッチング
  • 正確な入力フィルター
  • 広い出力側電源範囲
  • 負のゲート電圧能力
  • 拡張された CMTI 機能
  • アクティブ ミラー クランプ
  • DESAT保護
  • UVLO
  • 入力から出力へのガルバニック絶縁

製品

概要

2300Vの機能絶縁

EiceDRIVER™ 絶縁型ゲートドライバーは、磁気結合コアレス トランス (CT) 技術を使用しており、ガルバニック絶縁をまたぎ信号伝達を行います。CT 技術により、UL 1577(VISO = 5.7 kV) およびVDE 0884-11 (VIORM = 1767 V)認証を取得しており、機能、基本、および絶縁の強化を提供しています。機能絶縁は最大2300 Vに達し、2 kVのCoolSiC™をDC1500 Vで使用する場合に最適です。IEC 60747-17に従って認定されたすべての製品は、安全率で20年間の寿命でテストされています。

寄生ターンオンを回避

EiceDRIVER™ SiC MOSFETゲートドライバーICは、SiC MOSFETの負のゲート電圧でのバイポーラ電源を可能にするために、最大40Vの出力供給電圧を提供します。また、アクティブミラークランプを提供し、クランプドライバーは追加の保護機能を備えた機能です。クランプドライバ機能は、1ED3491MC12Mおよび1ED3890MC12Mで利用でき、高電力アプリケーションに最適です。

2300Vの機能絶縁

EiceDRIVER™ 絶縁型ゲートドライバーは、磁気結合コアレス トランス (CT) 技術を使用しており、ガルバニック絶縁をまたぎ信号伝達を行います。CT 技術により、UL 1577(VISO = 5.7 kV) およびVDE 0884-11 (VIORM = 1767 V)認証を取得しており、機能、基本、および絶縁の強化を提供しています。機能絶縁は最大2300 Vに達し、2 kVのCoolSiC™をDC1500 Vで使用する場合に最適です。IEC 60747-17に従って認定されたすべての製品は、安全率で20年間の寿命でテストされています。

寄生ターンオンを回避

EiceDRIVER™ SiC MOSFETゲートドライバーICは、SiC MOSFETの負のゲート電圧でのバイポーラ電源を可能にするために、最大40Vの出力供給電圧を提供します。また、アクティブミラークランプを提供し、クランプドライバーは追加の保護機能を備えた機能です。クランプドライバ機能は、1ED3491MC12Mおよび1ED3890MC12Mで利用でき、高電力アプリケーションに最適です。

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