インフィニオン、AIアクセラレータおよび垂直電力供給向けに新たな電力性能ベンチマークを確立する2 A/mm²デュアルフェーズ スマート パワーステージを発表

テクノロジーニュース

2026/09/09

2026年9月7日、ミュンヘン (ドイツ)

 

インフィニオン テクノロジーズ (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) は、次世代AIアクセラレータおよび垂直電力供給モジュール向けに急速に高まる電力密度要件に対応する、デュアルフェーズ スマート パワーステージ ファミリーTDA235E5およびTDA235E0を発表しました。

新製品ファミリーは、インフィニオンのOptiMOS™ 6 MOSFETとデュアルフェーズ ドライバーICを6 x 6 x 0.8 mm³のコンパクトなパッケージに集積し、2 A/mm²を超える業界最高水準の電力密度を実現しています。これにより、大電流AIプロセッサ アプリケーション向けパワーステージ性能の新たな基準を打ち立てます。ハイパースケーラーやデータセンター事業者がAIインフラの拡張を続ける中、高い電流供給能力と小型化を両立する電力供給ソリューションへの需要は、大きな制約要因となっています。

 

インフィニオンのパワーIC担当バイス プレジデントであるラケシュ レンガナサン (Rakesh Renganathan) は「インフィニオンのお客様は、今後10年間のコンピューティング インフラを形作るAIシステムを設計しています。TDA235E5およびTDA235E0は、高い電力密度、優れた熱性能、そして設計の柔軟性を提供することで、設計者がより迅速に設計を進め、確信を持って製品開発に取り組むことを可能にします。さらに、インフィニオンの包括的なAIサーバー向け電力供給エコシステムがそれを支えます」と述べています。

両製品は最大300 Aのピーク電流および120 AのTDC (Total Design Current) に対応しており、次世代AI xPUアクセラレータだけでなく、データセンター環境における従来型サーバーCPUにも最適です。また、水平および垂直の両方の電力供給構成をサポートしており、先進的なAIプロセッサ パッケージにおいて業界が垂直電力供給モジュール アーキテクチャへ移行する中で求められる設計の柔軟性を提供します。さらに、接合部から上面までの優れた熱抵抗特性により、液冷システムとの効率的な統合が可能です。これはプロセッサ ソケット当たりの電力レベルが上昇し続け、従来の空冷による熱設計限界に近づいている現在、ますます重要な要件となっています。インフィニオンのデジタル マルチフェーズ コントローラーと組み合わせることで、柔軟かつスケーラブルなマルチレール アーキテクチャを実現し、急速に進化するAIサーバー プラットフォームの導入期間短縮に貢献します。

TDA235E5およびTDA235E0は、送電網インターフェースからプロセッサのコア レールに至るまで、電力供給チェーン全体をカバーするインフィニオンのエンドツーエンドなAIサーバー向け電力供給エコシステムに統合されます。インフィニオンは、シリコン (Si)、炭化ケイ素 (SiC)、窒化ガリウム (GaN) のそれぞれの強みを組み合わせることで、AIに最適化されたインフラ向けに、最高水準の効率、堅牢性、および電力密度を実現する実績あるスケーラブルなソリューションをデータセンターのお客様に提供します。データセンター向け電力供給市場は半導体業界において最も成長の著しい需要分野の一つであり、とりわけ電力密度要件が重要となるコンポーネント領域における市場機会の拡大を背景に、インフィニオンは継続的な製品投資を進めています。

 

供給状況について

TDA235E5およびTDA235E0のエンジニアリング サンプルは、お客様による評価向けに提供を開始しています。詳細はこちらをご覧ください。

インフィニオンについて

インフィニオン テクノロジーズは、パワーシステムとIoTにおける半導体分野のグローバルリーダーであり、製品とソリューションを通じて、脱炭素化とデジタル化を推進しています。全世界で約57,000人の従業員を擁し (2025年9月末時点)、2025会計年度 (2024年10月～2025年9月) の売上高は約147億ユーロです。ドイツではフランクフルト証券取引所 (銘柄コード：IFX)、米国では店頭取引市場のOTCQX (銘柄コード：IFNNY) に上場しています。

ウエブサイトhttps://www.infineon.com/　Follow us: Facebook - LinkedIn

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The new smart power stage family integrates Infineon's OptiMOS™ 6 MOSFETs and a dual-phase driver IC in a compact 6 x 6 x 0.8 mm³ package.

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Yufuko Toyoda

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