Infineon setzt neuen Industriemaßstab für KI-Beschleuniger und vertikale Stromversorgung mit 2 A/mm² Dual-Phase-Smart-Power-Stages

Technology News

Sep 07, 2026

München, 07. September 2026 – Die Infineon Technologies AG stellt TDA235E5 und TDA235E0 vor, eine Dual-Phase-Smart-Power-Stage-Familie, die entwickelt wurde, um die schnell wachsenden Leistungsdichteanforderungen von KI-Beschleunigern und vertikalen Stromversorgungsmodulen der nächsten Generation von KI-Rechenzentren zu erfüllen. Durch die Integration der OptiMOS™ 6 MOSFETs von Infineon und einem Dual-Phase-Treiber-IC in einem kompakten 6 x 6 x 0,8 mm³-Gehäuse liefert die neue Familie eine Leis-tungsdichte von mehr als 2 A/mm² und setzt damit einen neuen Referenzpunkt für Power-Stage-Leistung in Hochstrom-KI-Prozessoranwendungen. Da Hyperscaler und Rechenzent-rumsbetreiber ihre KI-Infrastruktur weiter ausbauen, wird die Nachfrage nach Stromversor-gungslösungen, die höhere Strombelastbarkeit mit kleiner werdenden physischen Abmes-sungen verbinden, zu einem kritischen Engpass.

„Infineon-Kunden entwickeln KI-Systeme, die die Recheninfrastruktur des nächsten Jahr-zehnts prägen werden", sagt Rakesh Renganathan, Vice President Power ICs bei Infineon. „Die TDA235E5 und TDA235E0 Power Stages liefern Entwicklern die Leistungsdichte, ther-mische Leistungsfähigkeit und Designflexibilität, die sie benötigen, um schneller und sicherer zu entwickeln, unterstützt durch ein umfassendes KI-Server-Stromversorgungsökosystem von Infineon.“

Die beiden Bauelemente unterstützen bis zu 300 A Spitzenstrom und 120 A Gesamtausle-gungsstrom (TDC) und sind damit gut geeignet für KI-xPU-Beschleuniger der nächsten Ge-neration sowie für konventionelle Server-CPUs in Rechenzentrumsumgebungen. Sowohl laterale als auch vertikale Stromversorgungskonfigurationen werden unterstützt, was die erforderliche Designflexibilität bietet, während die Branche den Übergang zu vertikalen Leis-tungsmodularchitekturen in fortschrittlichen KI-Prozessorgehäusen vollzieht. Der überlegene thermische Widerstand von Sperrschicht zu Oberseite ermöglicht eine effiziente Integration von Flüssigkühlung. Diese Eigenschaft gewinnt zunehmend an Bedeutung, da die Leis-tungspegel pro Prozessorsockel weiter steigen und herkömmliche luftgekühlte Thermikbud-gets ausgeschöpft werden. 

In Kombination mit den digitalen Mehrphasenreglern von Infineon unterstützen die Power Stages flexible, skalierbare Mehrschienen-Architekturen, die die Implementierung in sich schnell weiterentwickelnden KI-Serverplattformen verkürzen.

Die TDA235E5 und TDA235E0 sind in das durchgängige KI-Server-Stromversorgungsökosystem von Infineon integriert, das die gesamte Stromversorgungs-kette vom Netz bis zum Prozessorkern abdeckt. Durch die Kombination der komplementä-ren Stärken von Silizium, Siliziumkarbid und Galliumnitrid bietet Infineon Rechenzentrums-kunden einen bewährten, skalierbaren Weg zur höchsten verfügbaren Effizienz, Robustheit und Leistungsdichte für KI-optimierte Infrastruktur. Der Markt für Rechenzentrums-Stromversorgung ist eines der am schnellsten wachsenden Nachfragesegmente der Halblei-terindustrie. Infineon adressiert diesen Bedarf gezielt auf Komponentenebene, wo steigende Leistungsdichteanforderungen den größten Differenzierungsbedarf darstellen.

Verfügbarkeit
Engineering-Samples für TDA235E5 und TDA235E0 sind ab sofort für die Kundenevaluie-rung erhältlich. Weitere Informationen sind hier verfügbar.

Über Infineon

Die Infineon Technologies AG ist ein weltweit führender Anbieter von Halbleiterlösungen für Power Systems und das Internet der Dinge (IoT). Mit seinen Produkten und Lösungen treibt Infineon die Dekarbonisierung und Digitalisierung voran. Das Unternehmen hat weltweit rund 57.000 Beschäftigte (Ende September 2025) und erzielte im Geschäftsjahr 2025 (Ende September) einen Umsatz von rund 14,7 Milliarden Euro. Infineon ist in Frankfurt unter dem Symbol „IFX“ und in den USA im Freiverkehrsmarkt OTCQX International unter dem Symbol „IFNNY“ notiert.

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Pressefotos

Die neue Smart-Power-Stage-Familie integriert OptiMOS™ 6 MOSFETs von Infineon und einen zweiphasigen Treiber-IC in einem kompakten 6 x 6 x 0,8 mm³ Gehäuse.

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Michael Burner

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