インフィニオン、第7世代ディスクリート650 V TRENCHSTOP™ IGBTの高効率パワーアプリケーション向けH7シリーズを発表

テクノロジーニュース

2023/09/06

2023年8月23日、ミュンヘン (ドイツ)

 

インフィニオン テクノロジーズ (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) は、第7世代TRENCHSTOP™ IGBTファミリを拡張し、ディスクリート650 V IGBT7 H7シリーズを追加しました。これらのデバイスは、先進的なエミッター制御設計による最先端のEC7ダイオードと組み合わせた高速テクノロジーにより、環境に配慮した高効率パワーソリューションに対する高まるニーズに対応するものです。最新のマイクロパターン トレンチ テクノロジーを採用したTRENCHSTOP™ IGBT7 H7は優れた制御と性能を提供し、大幅な損失低減、効率および電力密度の向上をもたらします。その結果、このデバイスは、ストリングインバーター、蓄電システム (ESS)、電気自動車用充電アプリケーション、さらには産業用UPSや溶接機といった従来のアプリケーションのようなさまざまなアプリケーションに最適です。

 

650 V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7のディスクリート製品ラインナップは、電流定格150 A品までご提供しています。ポートフォリオには40 A～150 Aのラインナップがあり、4種類のパッケージタイプ (TO-247-3 HCC、TO-247-4、TO-247-3 Plus、TO-247-4 Plus) で提供します。TRENCHSTOP™ IGBT 7 H7のTO-247-3 HCCパッケージの特徴は大きな沿面距離です。性能の改善には、TO-247 4ピンパッケージ (標準：IKZA、Plus：IKY) が特に適しています。これらは、スイッチング損失を低減するだけでなく、電圧オーバーシュートの低減、導通損失の最小化、最小の逆回復損失といった利点があります。TRENCHSTOP™ IGBT 7 H7はこれらの特徴によって設計を簡素化し、デバイスを並列接続する必要性を最小限に抑えます。

 

さらに、650 V TRENCHSTOP™ IGBT 7 H7は、過酷な環境で信頼性の高い動作を実現するための堅牢な耐湿性も備えています。このデバイスは、JEDEC47/20/22の関連テスト、特にHV-H3TRBに従った産業用認定を受けているため、屋外アプリケーションに最適です。環境にやさしく、効率的なパワーアプリケーションの要求を満たすように設計されたこのIGBTは、前世代に比べて大幅に改善されています。その結果、TRENCHSTOP™ IGBT 7 H7は、太陽光発電やESSなどのアプリケーションに使用されることが多いNPC1トポロジーを理想的に補完します。

 

供給状況について

TRENCHSTOP™ IGBT 7 H7は注文を受け付けています。また、認定サンプルが出荷可能です。詳しくは、 www.infineon.com/discreteigbt7をご覧ください。

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650 V TRENCHSTOP IGBT7 TO-247

650 V TRENCHSTOP IGBT7 TO-247

Using the latest micro-pattern trench technology, Infineon’s TRENCHSTOP IGBT7 H7 offers excellent control and performance, resulting in significant loss reduction, improved efficiency and higher power density. As a result, the device is ideal for various applications such as string inverters, energy storage systems (ESS), electric vehicle charging applications, and traditional applications such as industrial UPS and welding.

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