Infineon präsentiert diskrete H7-Variante der 650 V TRENCHSTOP™ IGBTs der 7. Generation für energieeffiziente Anwendungen im Bereich Stromversorgung

Technology News

Aug 23, 2023

München – 23. August 2023 – Die Infineon Technologies AG erweitert ihre TRENCHSTOP™ IGBT-Familie der 7. Generation um die diskrete 650-V-Variante IGBT7 H7. Das Bauteil verfügt über eine emittergesteuerte integrierte EC7-Diode auf dem neuesten Stand und unterstützt schnelles Schalten. Es wurde speziell für die wachsende Nachfrage nach umweltfreundlichen und effizienten Stromversorgungen entwickelt. Der TRENCHSTOP IGBT7 H7 verwendet die neueste Trench-Technologie mit Micro-Pattern und bietet daher eine hervorragende Leistung und kann gut angesteuert werden. Das führt zu einer erheblichen Verlustreduzierung, einem verbesserten Wirkungsgrad und einer höheren Leistungsdichte. Das Bauteil eignet sich damit ideal für verschiedene Anwendungen wie String-Wechselrichter, Energiespeichersysteme (ESS), Ladeanwendungen für Elektrofahrzeuge und traditionelle Anwendungen wie industrielle Unterbrechungsfreie Stromversorgungen und Schweißen.

Der 650 V TRENCHSTOP IGBT7 H7 ist in einem diskreten Gehäuse untergebracht und liefert bis zu 150 A. Das Portfolio umfasst Varianten von 40 A bis 150 A, die in vier verschiedenen Gehäuseformen angeboten werden: TO-247-3 HCC, TO-247-4, TO-247-3 Plus und TO-247-4 Plus. Die TO-247-3 HCC-Variante des TRENCHSTOP IGBT 7 H7 zeichnet sich durch eine hohe Kriechstrecke aus. Für eine verbesserte Leistung sind die TO-247-4-Pin-Gehäuse (Standard: IKZA, Plus: IKY) besonders gut geeignet, da sie nicht nur die Schaltverluste reduzieren, sondern auch zusätzliche Vorteile wie geringere Spannungsüberschwinger, minimierte Leitungsverluste und den geringsten Rückstromverlust bieten. Mit diesen Eigenschaften vereinfacht der TRENCHSTOP IGBT 7 H7 das Design und minimiert die Notwendigkeit, Bauteile parallel schalten zu müssen.

Darüber hinaus zeichnet sich der 650 V TRENCHSTOP IGBT 7 H7 durch seine hohe Feuchtigkeitsbeständigkeit aus, die einen zuverlässigen Betrieb in rauen Umgebungen ermöglicht. Das Bauteil ist für den industriellen Einsatz gemäß den relevanten Tests von JEDEC47/20/22, insbesondere HV-H3TRB, qualifiziert und eignet sich daher gut für Anwendungen im Freien. Der IGBT wurde entwickelt, um der Nachfrage nach umweltfreundlichen und effizienten Anwendungen im Bereich der Stromversorgungen gerecht zu werden. Im Vergleich zur vorherigen Generation bietet er um 39 Prozent reduzierte Gesamtverluste. Somit ist der TRENCHSTOP IGBT 7 H7 die ideale Ergänzung für die NPC1-Topologie, die häufig in Anwendungen wie Solar und ESS eingesetzt wird.

Verfügbarkeit

Der TRENCHSTOP™ IGBT 7 H7 kann ab sofort bestellt werden, Qualifikationsmuster verfügbar. Weitere Informationen sind erhältlich unter www.infineon.com/technology/power/igbt/trenchstop-igbt7/igbt7-discretes.

Mehr Informationen zum Beitrag von Infineon im Bereich Energieeffizienz: www.infineon.com/green-energy

Pressefotos

650 V TRENCHSTOP IGBT7 TO-247

650 V TRENCHSTOP IGBT7 TO-247

Der TRENCHSTOP IGBT7 H7 von Infineon verwendet die neueste Trench-Technologie mit Micro-Pattern und bietet daher eine hervorragende Leistung und kann gut angesteuert werden. Das führt zu einer erheblichen Verlustreduzierung, einem verbesserten Wirkungsgrad und einer höheren Leistungsdichte. Das Bauteil eignet sich damit ideal für verschiedene Anwendungen wie String-Wechselrichter, Energiespeichersysteme (ESS), Ladeanwendungen für Elektrofahrzeuge und traditionelle Anwendungen wie industrielle Unterbrechungsfreie Stromversorgungen und Schweißen.

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