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CoolMOS™ P7

600 V、700 V、800 V、950 V CoolMOS™ P7 スーパージャンクション (SJ) MOSFET

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概要

600V〜950Vスーパージャンクション(SJ) MOSFETのCoolMOS™ P7ポートフォリオ

CoolMOS™ P7ポートフォリオは、高効率電力変換アプリケーション向けに設計されたスーパージャンクション(SJ) MOSFETで構成されています。定格電圧600 V〜950 VのこれらのMOSFETは、補助電源、照明および充電器アプリケーション、ソーラーインバーター、産業用モータードライブなどのさまざまなアプリケーションでの使用に最適です。

CoolMOS™ P7 MOSFETは、ゲート電荷が低く、オン抵抗が低いため、スイッチング損失が低減され、効率が向上します。また、ツェナー保護ダイオードを内蔵しているため、閾値電圧が高くなっているため、電圧スパイクやノイズに対する感度が低くなります。

さらに、CoolMOS™ P7 MOSFETは高いアバランシェ耐性を備えているため、高電圧トランジェントに損傷を与えることなく耐えることができます。これにより、フライバックトポロジーから弱いグリッドに接続された電源まで、電圧スパイクとサージが一般的なアプリケーションでの使用に最適です。

600 V、700 V、800 V、950 V P7 MOSFETの適切なソリューションを見つける

CoolMOS™ P7ポートフォリオは、600 V、700 V、800 V、および950 VのMOSFETを含む幅広い電圧定格を提供します。SOT-223やIPAKショートリードなどの幅広いパッケージングオプションと、非常に詳細なRDS(on)により、P7シリーズの設計が容易になります。

サーバーの電源やテレコム整流器などのアプリケーションには、600Vおよび700VのMOSFETが適しています。これらのMOSFETは、低オン抵抗と低ゲート電荷を提供するため、EMIを適切に制御することでスイッチング損失が低減され、効率が向上します。

フライバックトポロジーなど、より高い電圧定格を必要とするアプリケーションでは、800Vおよび950VのMOSFETの方が適しています。これらのMOSFETは、より高い閾値電圧と高いアバランシェ耐性により堅牢な動作を提供し、損傷することなく大規模で高速な電圧過渡に耐えることができます。

クラス最高の価格性能比と優れた使いやすさ

MOSFETのCoolMOS™ P7ポートフォリオは、クラス最高の価格対性能比を提供し、幅広い電力変換アプリケーション向けの費用対効果の高いソリューションとなっています。 これらのMOSFETは、オン抵抗が低く、ゲート電荷が低いため、高効率とスイッチング損失の低減を実現し、コンバーター全体のコストを削減できます。

さらに、CoolMOS™ P7 MOSFETは優れた使いやすさを提供するため、設計サイクルを短縮して既存の設計に簡単に統合できます。また、さまざまな資格レベルが提供されており、さらなるコスト最適化が可能です。

600V〜950Vスーパージャンクション(SJ) MOSFETのCoolMOS™ P7ポートフォリオ

CoolMOS™ P7ポートフォリオは、高効率電力変換アプリケーション向けに設計されたスーパージャンクション(SJ) MOSFETで構成されています。定格電圧600 V〜950 VのこれらのMOSFETは、補助電源、照明および充電器アプリケーション、ソーラーインバーター、産業用モータードライブなどのさまざまなアプリケーションでの使用に最適です。

CoolMOS™ P7 MOSFETは、ゲート電荷が低く、オン抵抗が低いため、スイッチング損失が低減され、効率が向上します。また、ツェナー保護ダイオードを内蔵しているため、閾値電圧が高くなっているため、電圧スパイクやノイズに対する感度が低くなります。

さらに、CoolMOS™ P7 MOSFETは高いアバランシェ耐性を備えているため、高電圧トランジェントに損傷を与えることなく耐えることができます。これにより、フライバックトポロジーから弱いグリッドに接続された電源まで、電圧スパイクとサージが一般的なアプリケーションでの使用に最適です。

600 V、700 V、800 V、950 V P7 MOSFETの適切なソリューションを見つける

CoolMOS™ P7ポートフォリオは、600 V、700 V、800 V、および950 VのMOSFETを含む幅広い電圧定格を提供します。SOT-223やIPAKショートリードなどの幅広いパッケージングオプションと、非常に詳細なRDS(on)により、P7シリーズの設計が容易になります。

サーバーの電源やテレコム整流器などのアプリケーションには、600Vおよび700VのMOSFETが適しています。これらのMOSFETは、低オン抵抗と低ゲート電荷を提供するため、EMIを適切に制御することでスイッチング損失が低減され、効率が向上します。

フライバックトポロジーなど、より高い電圧定格を必要とするアプリケーションでは、800Vおよび950VのMOSFETの方が適しています。これらのMOSFETは、より高い閾値電圧と高いアバランシェ耐性により堅牢な動作を提供し、損傷することなく大規模で高速な電圧過渡に耐えることができます。

クラス最高の価格性能比と優れた使いやすさ

MOSFETのCoolMOS™ P7ポートフォリオは、クラス最高の価格対性能比を提供し、幅広い電力変換アプリケーション向けの費用対効果の高いソリューションとなっています。 これらのMOSFETは、オン抵抗が低く、ゲート電荷が低いため、高効率とスイッチング損失の低減を実現し、コンバーター全体のコストを削減できます。

さらに、CoolMOS™ P7 MOSFETは優れた使いやすさを提供するため、設計サイクルを短縮して既存の設計に簡単に統合できます。また、さまざまな資格レベルが提供されており、さらなるコスト最適化が可能です。

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