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800 V CoolMOS™ P7

効率と熱性能のベンチマーク

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概要

800V CoolMOS™ P7シリーズにより、インフィニオンは800 V スーパージャンクション技術のベンチマークを打ち立て、最高クラスの性能と最先端の使いやすさを兼ね備えています。 堅牢なゲートモジュール、ボディダイオード、高速でクリーンなスイッチングは、フライバックベースの民生用SMPS アプリケーションに最適な製品ファミリーを実現する機能です。 また、民生用PFC ステージ、ソーラー、アダプター、オーディオ、照明アプリケーションにも適しています。

主な機能

  • 高電圧 800 V
  • ツェナーダイオード保護ゲート
  • クリーンな高速整流
  • 堅牢なボディダイオード

製品

概要

800 V CoolMOS™ の優れた EMI 性能

EMI はシステムレベルのトピックであり、最適化はシステムレベルで行う必要があります。 それにもかかわらず、インフィニオンの45W アダプターでの純粋なプラグアンドプレイ測定では、800V CoolMOS™ P7は、インフィニオンの以前の技術だけでなく、競合他社の技術と比較しても同様のEMI 性能を示すことがわかります。

競合製品と比較して、800V CoolMOS™ P7テクノロジーにより、はるかに低いRDS(on)値をDPAK などの小型パッケージに統合できます。 これにより、非常に競争力のある価格レベルで高電力密度の設計が可能になります。

800V CoolMOS™ P7の利点

このテクノロジーは、完全に最適化された主要パラメータを提供し、クラス最高の効率と熱性能を提供します。 市場で購入した80W LEDドライバで実証されたように、Eoss とCoss の>45% の削減、および競合他社の技術と比較してCiss とQg の大幅な改善により、軽負荷時の効率が0.5% 向上し、最終アプリケーションでの待機電力の削減に役立ちます。 全負荷時には、効率が最大0.3% 向上し、デバイス温度が6°C 低下します。

800V CoolMOS™ P7の利点

この製品ファミリーは、クラス最高のCoolMOS™ 品質を提供し続けています。 さらに、CoolMOS™ P7はクラス最高のRDS(on)を新たに提供します: DPAKでは、最も近い800V MOSFETの競合他社よりも50% 以上低い280mΩ のRDS(on)が利用可能です。 この新しいベンチマークにより、より高い電力密度の設計、BOMの節約、およびアセンブリコストの削減が可能になります。

800 V CoolMOS™ の優れた EMI 性能

EMI はシステムレベルのトピックであり、最適化はシステムレベルで行う必要があります。 それにもかかわらず、インフィニオンの45W アダプターでの純粋なプラグアンドプレイ測定では、800V CoolMOS™ P7は、インフィニオンの以前の技術だけでなく、競合他社の技術と比較しても同様のEMI 性能を示すことがわかります。

競合製品と比較して、800V CoolMOS™ P7テクノロジーにより、はるかに低いRDS(on)値をDPAK などの小型パッケージに統合できます。 これにより、非常に競争力のある価格レベルで高電力密度の設計が可能になります。

800V CoolMOS™ P7の利点

このテクノロジーは、完全に最適化された主要パラメータを提供し、クラス最高の効率と熱性能を提供します。 市場で購入した80W LEDドライバで実証されたように、Eoss とCoss の>45% の削減、および競合他社の技術と比較してCiss とQg の大幅な改善により、軽負荷時の効率が0.5% 向上し、最終アプリケーションでの待機電力の削減に役立ちます。 全負荷時には、効率が最大0.3% 向上し、デバイス温度が6°C 低下します。

800V CoolMOS™ P7の利点

この製品ファミリーは、クラス最高のCoolMOS™ 品質を提供し続けています。 さらに、CoolMOS™ P7はクラス最高のRDS(on)を新たに提供します: DPAKでは、最も近い800V MOSFETの競合他社よりも50% 以上低い280mΩ のRDS(on)が利用可能です。 この新しいベンチマークにより、より高い電力密度の設計、BOMの節約、およびアセンブリコストの削減が可能になります。

ドキュメント

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開発者コミュニティ

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