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Infineon arbeitet mit NVIDIA an Stromwandlungssystemen auf Basis von Galliumnitrid für KI-Rechenzentren auf 800 Volt

Wirtschaftspresse

Oct 21, 2026

München, Deutschland – 21. Oktober 2026 – Die Infineon Technologies AG verkündet anlässlich der NVIDIA-Entwicklerkonferenz GTC Berlin den Ausbau ihrer Zusammenarbeit mit NVIDIA bei 800-Volt-Gleichstrom-Architekturen (800 VDC) für KI-Rechenzentren. Im Mittelpunkt steht der Hochvolt-Spannungsumrichter (Intermediate Bus Converter, IBC). Er ist eine der kritischsten und anspruchsvollsten Wandlungsstufen in der Energieversorgungskette von KI-Rechenzentren. Die Galliumnitrid (GaN)-Technologie von Infineon etabliert sich dabei als besonders geeignete Technologie für diese Stufe. Die Ankündigung setzt die gemeinsame Arbeit beider Unternehmen fort, die im Mai 2025 begann und im Oktober 2025 weiter konkretisiert wurde.

„KI verändert die Anforderungen an die Energieinfrastruktur grundlegend. Halbleiter sind der Schlüssel, um diese Herausforderung zu lösen“, sagt Jochen Hanebeck, CEO von Infineon. „Unsere Zusammenarbeit mit NVIDIA zu 800-Volt-Architekturen zeigt, was möglich ist, wenn fundiertes Halbleiterwissen auf das Innovationstempo von künstlicher Intelligenz trifft. Systemlösungen auf Galliumnitrid-Basis sind ein wichtiger Wegbereiter für diese nächste Generation von Rechenzentren. Wir sind stolz darauf, die KI-Ära vom Stromnetz bis zum Prozessorkern mit Energie zu versorgen.“

Angesichts des extremen Energiebedarfs von KI-Workloads setzen Rechenzentren auf Zwischenkreisarchitekturen, in denen ein IBC die hohe Eingangsspannung von 800 Volt auf eine niedrigere Spannungsebene für die Beschleunigerkarte reduziert. Nachgelagerte Stufen können so effizient die präzisen Kern- und Point-of-Load-Spannungen erzeugen, die KI-Prozessoren benötigen. Dieser mehrstufige Ansatz verringert die Verluste bei der Stromumwandlung und muss zugleich strenge Vorgaben an Platzbedarf, Wärmegrenzen und Verfügbarkeit erfüllen. Mit dem Ausbau der KI-Infrastruktur wird 800 VDC zukünftig als zusätzliche Stromversorgungslösung neben bestehenden Wechselstromarchitekturen für Rechensysteme mit höherer Leistungsdichte eingeführt.

Das Halbleitermaterial Galliumnitrid ist für die Anwendung des Intermediate Bus Converters besonders geeignet. Im Vergleich zu Silizium schalten GaN-Leistungsbauteile deutlich schneller und mit geringeren Verlusten. Das ermöglicht Schaltfrequenzen von bis zu 1 MHz in der IBC-Stufe. Magnetische Bauteile und passive Komponenten können dadurch erheblich kleiner werden, was sich direkt in höherer Leistungsdichte und geringerer Bauhöhen niederschlägt. Das ist ein wichtiger Vorteil, da Rack-Fläche in KI-Rechenzentren zunehmend knapp wird. Gleichzeitig tragen die geringen Leitungs- und Schaltverluste von GaN zu einer hohen Wandlungseffizienz bei und begrenzen die Wärmeentwicklung, auch wenn die Leistung pro Rack weiter in Richtung Megawatt steigt. GaN eignet sich damit besonders für die kombinierten Anforderungen an Leistungsdichte, Effizienz und schnelles Ausregelverhalten in der IBC-Stufe. Infineon bringt dafür langjährige Erfahrung in der Entwicklung und Fertigung von GaN mit. In Kombination mit den Produktfamilien PSOC™ Control C3 und EiceDRIVER™ bietet Infineon vollständige Systemlösungen für IBCs.

Das GaN-Portfolio von Infineon deckt alle erforderlichen Hochvolt-IBC-Stufen für KI-Rechenzentren ab, darunter 800 V auf 50 V, 800 V auf 12 V und 800 V auf 6 V. Rechenzentrumsbetreiber können damit ihre Rack-Architekturen optimieren, ohne Abstriche bei Leistungsdichte oder Effizienz. Bei dieser Kombination aus hoher Schaltfrequenz, Leistungsdichte und Effizienz spielen GaN-Leistungsschalter ihre Vorteile voll aus. Das Know-how von Infineon im Bereich Leistungshalbleiter beruht auf umfangreichen eigenen Fertigungskapazitäten sowie auf Applikations- und Systemexpertise, die über viele Jahre aufgebaut wurde. Das Portfolio umfasst IBC-Lösungen auf Basis von Silizium, Galliumnitrid und Siliziumkarbid und unterstützt Kunden damit entlang des gesamten Spektrums ihrer Designanforderungen.

Infineon und NVIDIA arbeiten entlang der gesamten Stromversorgungskette von Rechenzentren zusammen. Neben IBCs gehören dazu auch Lösungen für den Schutz des Strompfads, wie im Oktober 2025 angekündigt. Sie adressieren Sicherheits- und Wartungsaspekte wie die Hot-Swap-Controller-Funktionalität und ermöglichen es, künftige Serverboards in 800-VDC-Architekturen zu betreiben.

Die Zusammenarbeit zeigt, dass Infineon KI-Infrastruktur mit Leistungshalbleitern entlang der gesamten Energiekette begleitet, von der Stromversorgung aus dem Netz bis zum Point-of-Load am Prozessor.

Über Infineon

Die Infineon Technologies AG ist ein weltweit führender Anbieter von Halbleiterlösungen für Power Systems und das Internet der Dinge (IoT). Mit seinen Produkten und Lösungen treibt Infineon die Dekarbonisierung und Digitalisierung voran. Das Unternehmen hat weltweit rund 57.000 Beschäftigte (Ende September 2025) und erzielte im Geschäftsjahr 2025 (Ende September) einen Umsatz von rund 14,7 Milliarden Euro. Infineon ist in Frankfurt unter dem Symbol „IFX“ und in den USA im Freiverkehrsmarkt OTCQX International unter dem Symbol „IFNNY“ notiert.