SPP11N80C3
新規設計非推奨
RoHS対応
鉛フリー

SPP11N80C3

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SPP11N80C3
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製品仕様情報

  • ID (最大)
    11 A
  • ID (@25°C) (最大)
    11 A
  • IDpuls (最大)
    33 A
  • Ptot (最大)
    156 W
  • QG
    50 nC
  • QG (typ @10V)
    50 nC
  • RDS (on) (最大)
    450 mΩ
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    450 mΩ
  • RthJA (最大)
    62 K/W
  • RthJC (最大)
    0.8 K/W
  • Rth
    0.8 K/W
  • Special Features
    price/performance
  • VDS (最大)
    800 V
  • VGS(th) 範囲
    2.1 V～3.9 V
  • VGS(th)
    3 V
  • パッケージ
    TO220
  • 予算価格€/ 1k
    1.11
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～150 °C
  • 実装
    THT
  • 極性
    N

OPN
SPP11N80C3XKSA1
製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
PG-TO220-3
パッケージ名 TO220
梱包サイズ 500
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
CN
ウェハ製造国
DE,MY
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製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
PG-TO220-3
パッケージ名 TO220
梱包サイズ 500
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
CN
ウェハ製造国
DE,MY
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Replacement for CoolMOS™ C3 is CoolMOS™ P7 800V CoolMOS™ C3 is Infineon's third series of CoolMOS™ with market entry in 2001. C3 is the "working horse" of the portfolio.

特長

  • Low resistance (RDS(on)*A)
  • Minimal Eoss @400V in O/P
  • Low gate charge (Qg)
  • Fieldproven CoolMOS™ quality
  • CoolMOS™ tech manufactured by since 1998

利点

  • higher switching frequencies
  • higher power density
  • higher efficiency
  • MOSFET suits hard & resonant topologies
ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ