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SPB21N50C3

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パッケージ
EA.
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SPB21N50C3
SPB21N50C3
EA.
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    21 A
  • ID (最大)
    21 A
  • IDpuls (最大)
    63 A
  • Ptot (最大)
    208 W
  • QG
    95 nC
  • QG (typ @10V)
    95 nC
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C) (最大)
    190 mΩ
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    160 mΩ
  • RthJA (最大)
    62 K/W
  • RthJC (最大)
    0.6 K/W
  • Rth
    0.6 K/W
  • VDS (最大)
    500 V
  • VGS(th) (範囲)
    2.1 V ～ 3.9 V
  • パッケージ
    D2PAK
  • 予算価格€/ 1k
    1.41
  • 動作温度 (最小)
    -55 °C
  • 実装
    SMT
  • 極性
    N
推奨
OPN
SPB21N50C3ATMA1
製品ステータス active
インフィニオンパッケージ
PG-TO263-3
パッケージ名 D2PAK
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 個の在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TO263-3
パッケージ名 D2PAK
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
個の在庫あり
Replacement for 500V CoolMOS™ C3 is CoolMOS™ P7 . 500V CoolMOS™ C3 is Infineon's third series of CoolMOS™ with market entry in 2001. C3 is the "working horse" of the portfolio.

特長

  • Low resistance (RDS(on)*A)
  • Minimal Eoss @400V in O/P
  • Low gate charge (Qg)
  • Fieldproven CoolMOS™ quality
  • CoolMOS™ tech manufactured by since 1998

利点

  • higher switching frequencies
  • higher power density
  • higher efficiency
  • MOSFET suits hard & resonant topologies

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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