SIGC54T60R3E
アクティブ
RoHS対応
鉛フリー

SIGC54T60R3E

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SIGC54T60R3E
SIGC54T60R3E

製品仕様情報

  • IC (最大)
    100 A
  • VCE(sat) (最大)
    1.85 V
  • VCE (最大)
    600 V
  • VDS (最大)
    600 V
  • VGE(th) 範囲
    5 V~6.5 V
  • 動作温度 範囲
    -40 °C~175 °C
  • 技術
    IGBT3
OPN
SIGC54T60R3EX1SA3 SIGC54T60R3EX7SA3
製品ステータス active active
インフィニオン パッケージ -- --
パッケージ名 N/A N/A
梱包サイズ 1 1
梱包形態 WAFER SAWN HORIZONTAL FRAME SHIPPER
MSL (湿度感受性レベル) N/A N/A
防湿梱包 DRY DRY
鉛フリー Yes Yes
ハロゲンフリー Yes Yes
RoHS対応 Yes Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ --
パッケージ名 -
梱包サイズ 1
梱包形態 WAFER SAWN
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ --
パッケージ名 -
梱包サイズ 1
梱包形態 HORIZONTAL FRAME SHIPPER
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
The TRENCHSTOP™ IGBT combines the unique TRENCHSTOP™ and Fieldstop technology and is a benchmark in the industry.

特長

  • Low turn-off losses
  • Short tail current
  • Positive temperature coefficient
  • Easy paralleling

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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