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RoHS準拠
鉛フリー

SIGC28T65E

データシート

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SIGC28T65E
SIGC28T65E
データシート

Product details

  • IC max
    50 A
  • VCE(sat) max
    1.77 V
  • VCE max
    650 V
  • VDS max
    650 V
  • VGE(th)
    5.1 V to 6.4 V
  • 動作温度
    -40 °C to 175 °C
  • 技術
    IGBT3
推奨
OPN
SIGC28T65EX1SA1
製哝ステータス active
インフィニオンパッケージ --
パッケージ坝 N/A
包装サイズ 1
包装形態 WAFER SAWN
水分レベル N/A
モイスポャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ポロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製哝ステータス
Active
インフィニオンパッケージ --
パッケージ坝 -
包装サイズ 1
包装形態 WAFER SAWN
水分レベル -
モイスポャーパッキン DRY
鉛フリー
ポロゲンフリー
RoHS対応
The TRENCHSTOP™ IGBT combines the unique TRENCHSTOP™ and Fieldstop technology and is a benchmark in the industry.

機能

  • Low turn-off losses
  • Short tail current
  • Positive temperature coefficient
  • Easy paralleling

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }