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RoHS準拠
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SIGC101T170R3E

データシート

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SIGC101T170R3E
SIGC101T170R3E
データシート

Product details

  • IC max
    75 A
  • VCE(sat) max
    2.4 V
  • VCE max
    1700 V
  • VDS max
    1700 V
  • VGE(th)
    5.2 V to 6.4 V
  • Operating Temperature
    -55 °C to 150 °C
  • Technology
    IGBT3
推奨
OPN
SIGC101T170R3EX1SA2 SIGC101T170R3EX1SA5
製品ステータス active active
インフィニオンパッケージ -- --
パッケージ名 N/A N/A
包装サイズ 1 1
包装形態 WAFER SAWN WAFER SAWN
水分レベル N/A N/A
モイスチャーパッキン DRY DRY
鉛フリー Yes Yes
ハロゲンフリー Yes Yes
RoHS準拠 Yes Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ --
パッケージ名 -
包装サイズ 1
包装形態 WAFER SAWN
水分レベル -
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ --
パッケージ名 -
包装サイズ 1
包装形態 WAFER SAWN
水分レベル -
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
The TRENCHSTOP™ IGBT combines the unique TRENCHSTOP™ and Fieldstop technology and is a benchmark in the industry.

機能

  • Low turn-off losses
  • Short tail current
  • Positive temperature coefficient
  • Easy paralleling

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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