SIDC08D60C8
アクティブ
RoHS対応
鉛フリー

SIDC08D60C8

データシート

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SIDC08D60C8
SIDC08D60C8
データシート

製品仕様情報

  • I(FSM) (最大)
    60 A
  • IF (最大)
    30 A
  • IR (最大)
    27 µA
  • VDS (最大)
    600 V
  • VF
    1.6 V
  • 技術
    Emitter Controlled Diode 3
推奨
OPN
SIDC08D60C8X1SA3
製品ステータス active
インフィニオン パッケージ --
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 1
梱包形態 WAFER SAWN
MSL (湿度感受性レベル) N/A
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ --
パッケージ名 -
梱包サイズ 1
梱包形態 WAFER SAWN
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Emitter Controlled Diode is Infineon's unique Fast Recovery Diode technology. The ultrathin wafer and Fieldstop technology makes the Emitter Controlled Diode ideally suited for consumer and industry applications as it lowers the turn-on losses of the IGBT with soft recovery. The Emitter Controlled Diode is optimized for Infineon IGBT technology.

特長

  • Soft, fast switching
  • Low reverse recovery charge
  • Small temperature coefficient

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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