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SI4435DY
生産終了
生産終了
RoHS対応
鉛フリー

SI4435DY

生産終了
-30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package

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SI4435DY
SI4435DY


製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    -8 A
  • Ptot (@ TA=25°C) (最大)
    2.5 W
  • Qgd
    8 nC
  • QG (typ @10V)
    40 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    20 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) (最大)
    35 mΩ
  • RthJA (最大)
    50 K/W
  • Tj (最大)
    150 °C
  • VDS (最大)
    -30 V
  • VGS(th) (最小)
    -1 V
  • VGS (最大)
    20 V
  • パッケージ
    SO-8
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 実装
    SMD
  • 極性
    P

OPN
SI4435DYTRPBF
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 SO-8
梱包サイズ 4000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
CN,PH,TH
ウェハ製造国
IL

製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 SO-8
梱包サイズ 4000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
CN,PH,TH
ウェハ製造国
IL

利点

  • RoHS Compliant
  • Industry-leading quality
  • P-Channel MOSFET

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

開発者コミュニティ