S80KS5123GABHA023
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

S80KS5123GABHA023

データシート
パッケージ

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S80KS5123GABHA023
S80KS5123GABHA023
データシート


製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    See roadmap
  • インターフェース
    xSPI (Octal)
  • インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)
    - / 200
  • インターフェース帯域幅
    400 MByte/s
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    KS-3
  • メモリ容量
    512 MBit
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 初期アクセス時間
    35 ns
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 範囲
    1.7 V～2 V
  • 動作電圧
    1.8 V
  • 技術
    HYPERRAM
  • 認定
    Automotive

推奨
OPN
S80KS5123GABHA023
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-BGA-24
パッケージ名 BGA-24 (002-15550)
梱包サイズ 2500
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
TH
ウェハ製造国
TW
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-BGA-24
パッケージ名 BGA-24 (002-15550)
梱包サイズ 2500
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
TH
ウェハ製造国
TW
S80KS5123GABHA023は512 MbのHYPERRAM™自己リフレッシュDRAMで、Octal xSPI（DDR）インターフェースにより高帯域の外部RAMを実現します。電源は1.7 V～2.0 V（標準1.8 V）、最大200 MHzクロックで400 MBps、最大アクセス時間35 ns。AEC-Q100車載グレードの選択肢と、105°Cで30 µAのディープパワーダウンに対応し、組み込みのメモリ拡張で省電力化に貢献します。

特長

  • オクタルxSPI+CS#
  • 8ビットDQ[7:0]バス
  • DDRで両エッジ転送
  • 最大クロック200 MHz
  • 最大400 MBpsスループット
  • 最大tACC 35 ns
  • RWDSでストローブ/マスク
  • バーストは直線/ラップ
  • ラップ16/32/64/128バイト
  • ハイブリッドスリープ保持
  • ディープパワーダウンCR0[15]
  • VCC 1.7 V〜2.0 V

利点

  • xSPIホストに容易接続
  • 高速SoCの帯域要求に対応
  • DDRでクロック当たり転送増
  • 200 MHzで高速アクセス
  • tACC 35 nsで読出し遅延低減
  • RWDSでタイミング設計簡素化
  • バーストでキャッシュ読出し最適
  • ラップでバス無駄を削減
  • スリープで省電力+データ保持
  • DPDでリーク電流を最小化
  • クロック停止時の消費低減
  • 1.8 V電源で部品追加不要

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ