S29GL512T13TFNV10
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

S29GL512T13TFNV10

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S29GL512T13TFNV10
S29GL512T13TFNV10
データシート


製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2035
  • インターフェース
    Parallel
  • インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)
    NA
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    GL-T
  • ページ アクセス時間
    15 ns
  • メモリ容量
    512 MBit
  • リードボール仕上げ
    Matte Tin Plating
  • 初期アクセス時間
    130 ns
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～125 °C
  • 動作電圧 範囲
    2.7 V～3.6 V
  • 動作電圧
    3 V
  • 認定
    Industrial

推奨
OPN
S29GL512T13TFNV10
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-56
パッケージ名 TSOP-56 (002-15549)
梱包サイズ 910
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
長期供給予定期限 2035
発売開始日 03/2022
組立国
TH
ウェハ製造国
CN
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-56
パッケージ名 TSOP-56 (002-15549)
梱包サイズ 910
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
長期供給予定期限 2035
発売開始日 03/2022
組立国
TH
ウェハ製造国
CN
S29GL512T13TFNV10は、45 nm MIRRORBIT™技術を採用した512 Mb（64 MB）パラレルNORフラッシュメモリです。ランダムアクセス100 ns、ページアクセス15 ns、2.7 V～3.6 V動作、×8/×16データバス対応、512バイト書き込みバッファ、ハードウェアECC、均一128 KBセクタ、高度なセクタ保護を備えます。10万回の書き換え、20年データ保持、+105°Cまでの産業・車載用途に対応し、組込み・車載システムのデータ保護を実現します。

特長

  • 45 nm MIRRORBIT™技術
  • 単一電源で読出/書込/消去（2.7–3.6 V）
  • 柔軟なI/O電圧（1.65 V～VCC）
  • ×8/×16データバス
  • 512バイト書込バッファ
  • ハードウェアECC単一ビット訂正
  • 均一128KBセクタ
  • 高度なセクタ保護（ASP）
  • セクタ毎10万回書換
  • 20年データ保持（標準）
  • 電源投入/低VCC書込禁止
  • ステータスレジスタ/データポーリング/ビジーピン

利点

  • 高密度で組込用途に最適
  • 柔軟なI/Oで多様なホスト対応
  • 512バイトバッファで高速書込
  • ECCで信頼性の高いデータ
  • 均一セクタで管理容易
  • ASPでデータ保護強化
  • 10万回の長寿命
  • 20年データ保持
  • 電源イベント時の誤書込防止
  • 状態監視で診断容易

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ