S29GL256P11TFI010

S29GL256P11TFI010

データシート
ソフトウェア

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

S29GL256P11TFI010
S29GL256P11TFI010
データシート


製品仕様情報


OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
S29GL256P11TFI010は256 Mbit、3.0 Vページモードフラッシュメモリで、90 nm MirrorBit®技術を採用し、100 nsアクセス時間と-40°C～+85°Cの工業用温度範囲に対応します。128 Kbyteの均一セクタ256個、VersatileIO™制御（VIO：1.65 V～VCC）、高度なセクタ保護、32ワード書き込みバッファを搭載。20年データ保持と各セクタ10万回消去が可能で、信頼性の高い組込み用途に最適です。

特長

  • 90 nm MirrorBitプロセス技術
  • 単一3 V読み出し/書き込み/消去
  • VersatileIO制御(1.65 V～VCC I/O)
  • 32ワード/64バイト書き込みバッファ
  • 8ワード/16バイトページリードバッファ
  • 均一64 Kワード/128 Kバイトセクタ
  • 128ワード/256バイトセキュア領域
  • 高度なセクタ保護機能
  • プログラム/消去サスペンド・再開
  • ハードウェアデータ保護(WP#/ACC, VCC)
  • 書き込みパルスグリッチ保護
  • セクタ毎10万回消去(標準)

利点

  • 高密度で組込ストレージに最適
  • 低電圧で消費電力を削減
  • 柔軟なI/Oで統合容易
  • 書き込みバッファで高速化
  • ページリードでアクセス高速
  • メモリ管理を簡素化
  • セキュア領域でID保護
  • データの誤変更を防止
  • サスペンド/再開で効率向上
  • ハード保護でデータ損失防止
  • グリッチ保護で信頼性向上
  • 高耐久で長寿命

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ