これはサポート終了製品です。新しい代替製品バージョンを表示してください。 これはサポート終了製品です。新しい代替製品バージョンを表示してください。
代替品を表示
S29GL128P90FAIR12
生産終了
生産終了

S29GL128P90FAIR12

生産終了
データシート
パッケージ
ソフトウェア
代替品を表示

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

S29GL128P90FAIR12
S29GL128P90FAIR12
代替品を表示
データシート


製品仕様情報

  • インターフェース
    Parallel
  • インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)
    NA
  • ピークリフロー温度
    220 °C
  • ファミリー
    GL-P
  • ページ アクセス時間
    25 ns
  • メモリ容量
    128 MBit
  • リードボール仕上げ
    Sn/Pb
  • 初期アクセス時間
    90 ns
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 範囲
    3 V～3.6 V
  • 動作電圧
    3 V
  • 認定
    Industrial

OPN
S29GL128P90FAIR12
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
P-LFBGA-64
パッケージ名 FBGA-64 (002-15536)
梱包サイズ 400
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 No
ウェハ製造国
US
代替品を表示

製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
P-LFBGA-64
パッケージ名 FBGA-64 (002-15536)
梱包サイズ 400
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
ウェハ製造国
US
代替品を表示
S29GL128P90FAIR12は128 Mbit、3.0 Vページモードフラッシュメモリで、90 nm MirrorBit技術を採用し、128 Kbyteの均一セクタとVersatileIO制御（I/O動作範囲1.65 V～VCC）を備えます。25 nsページアクセス、90 nsランダムアクセス、32ワード書き込みバッファ、高度なセクタ保護、10万回の消去サイクルを実現。-40°C～+85°C動作と20年データ保持で、信頼性重視の組込み高密度不揮発性ストレージに最適です。

特長

  • 90 nm MirrorBitプロセス技術
  • 単一3 V読み出し/書き込み/消去
  • VersatileIO制御(1.65 V～VCC I/O)
  • 32ワード/64バイト書き込みバッファ
  • 8ワード/16バイトページリードバッファ
  • 均一64 Kワード/128 Kバイトセクタ
  • 128ワード/256バイトセキュア領域
  • 高度なセクタ保護機能
  • プログラム/消去サスペンド・再開
  • ハードウェアデータ保護(WP#/ACC, VCC)
  • 書き込みパルスグリッチ保護
  • セクタ毎10万回消去(標準)

利点

  • 高密度で組込ストレージに最適
  • 低電圧で消費電力を削減
  • 柔軟なI/Oで統合容易
  • 書き込みバッファで高速化
  • ページリードでアクセス高速
  • メモリ管理を簡素化
  • セキュア領域でID保護
  • データの誤変更を防止
  • サスペンド/再開で効率向上
  • ハード保護でデータ損失防止
  • グリッチ保護で信頼性向上
  • 高耐久で長寿命

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ