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S29GL128P90FAIR12

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S29GL128P90FAIR12
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代替品
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製品仕様情報

  • Density
    128 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)
    NA
  • ピークリフロー温度
    220 °C
  • ファミリー
    GL-P
  • ページ アクセス時間
    25 ns
  • リードボール仕上げ
    Sn/Pb
  • 初期アクセス時間
    90 ns
  • 動作温度
    -40 °C to 85 °C
  • 動作電圧
    3 V
  • 認定
    Industrial
OPN
S29GL128P90FAIR12
製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
P-LFBGA-64
パッケージ名 FBGA-64 (002-15536)
包装サイズ 400
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 No
Infineon stock last updated:
代替品

製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
P-LFBGA-64
パッケージ名 FBGA-64 (002-15536)
包装サイズ 400
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
S29GL128P90FAIR12は128 Mbit、3.0 Vページモードフラッシュメモリで、90 nm MirrorBit技術を採用し、128 Kbyteの均一セクタとVersatileIO制御（I/O動作範囲1.65 V～VCC）を備えます。25 nsページアクセス、90 nsランダムアクセス、32ワード書き込みバッファ、高度なセクタ保護、10万回の消去サイクルを実現。-40°C～+85°C動作と20年データ保持で、信頼性重視の組込み高密度不揮発性ストレージに最適です。

機能

  • 90 nm MirrorBitプロセス技術
  • 単一3 V読み出し/書き込み/消去
  • VersatileIO制御(1.65 V～VCC I/O)
  • 32ワード/64バイト書き込みバッファ
  • 8ワード/16バイトページリードバッファ
  • 均一64 Kワード/128 Kバイトセクタ
  • 128ワード/256バイトセキュア領域
  • 高度なセクタ保護機能
  • プログラム/消去サスペンド・再開
  • ハードウェアデータ保護(WP#/ACC, VCC)
  • 書き込みパルスグリッチ保護
  • セクタ毎10万回消去(標準)

利点

  • 高密度で組込ストレージに最適
  • 低電圧で消費電力を削減
  • 柔軟なI/Oで統合容易
  • 書き込みバッファで高速化
  • ページリードでアクセス高速
  • メモリ管理を簡素化
  • セキュア領域でID保護
  • データの誤変更を防止
  • サスペンド/再開で効率向上
  • ハード保護でデータ損失防止
  • グリッチ保護で信頼性向上
  • 高耐久で長寿命

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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