S29GL128P10FFI010

S29GL128P10FFI010

データシート
ソフトウェア

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

S29GL128P10FFI010
S29GL128P10FFI010
データシート


製品仕様情報


OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
S29GL128P10FFI010は128 Mbit、3 Vページモードフラッシュメモリで、90 nm MirrorBit技術を採用し、128 Kbyte均一セクタとVersatileIO（I/O電圧1.65 V～VCC）を備えます。単語または32ワードバッファ書き込み、100 nsランダムアクセス、25 nsページアクセス、高度なセクタ保護、20年データ保持、10万回消去対応で、-40°C～+85°Cの組込み・産業用コードストレージに最適です。

特長

  • 90 nm MirrorBitプロセス技術
  • 単一3 V読み出し/書き込み/消去
  • VersatileIO制御(1.65 V～VCC I/O)
  • 32ワード/64バイト書き込みバッファ
  • 8ワード/16バイトページリードバッファ
  • 均一64 Kワード/128 Kバイトセクタ
  • 128ワード/256バイトセキュア領域
  • 高度なセクタ保護機能
  • プログラム/消去サスペンド・再開
  • ハードウェアデータ保護(WP#/ACC, VCC)
  • 書き込みパルスグリッチ保護
  • セクタ毎10万回消去(標準)

利点

  • 高密度で組込ストレージに最適
  • 低電圧で消費電力を削減
  • 柔軟なI/Oで統合容易
  • 書き込みバッファで高速化
  • ページリードでアクセス高速
  • メモリ管理を簡素化
  • セキュア領域でID保護
  • データの誤変更を防止
  • サスペンド/再開で効率向上
  • ハード保護でデータ損失防止
  • グリッチ保護で信頼性向上
  • 高耐久で長寿命

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ