Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

S29GL064S80FHV040

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S29GL064S80FHV040
S29GL064S80FHV040

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2035
  • Density
    64 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)
    NA
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    GL-S
  • ページ アクセス時間
    15 ns
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 初期アクセス時間
    80 ns
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ~ 105 °C
  • 動作電圧 (範囲)
    2.7 V ~ 3.6 V
  • 動作電圧
    3 V
  • 認定
    Industrial
OPN
S29GL064S80FHV040
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 FBGA-64 (002-15536)
包装サイズ 1800
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 FBGA-64 (002-15536)
包装サイズ 1800
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
S29GL064S80FHV040は、65 nm MIRRORBIT™技術採用の64 Mb(8 MB)パラレルNORフラッシュメモリで、3.0 V単一電源の読み出し・書き込み・消去に対応。80 nsアクセス、トップまたはボトムブートセクタ構成、永続・パスワード保護機能を備え、各セクタ10万回の消去、20年データ保持、AEC-Q100 Grade 2認定で、自動車・産業・組込用途の高信頼セキュアコード保存に最適です。

特長

  • 3.0 V単一電源動作
  • 65 nm MIRRORBIT™プロセス
  • 16ビット/8・16ビットバス
  • 70 nsアクセス, 15 nsページ読出
  • 8ワード/16バイトページバッファ
  • 128ワード/256バイト書込バッファ
  • 内蔵ECC単一ビット訂正
  • 高度なセクタ保護(永続/パスワード)
  • 1セクタ10万回消去
  • 20年データ保持(標準)
  • 自動スリープ・待機モード
  • JEDEC CFI・コマンド互換

利点

  • 3.0 Vで電源設計が容易
  • 65 nm技術で高信頼性
  • 柔軟なバスで設計自由度
  • 高速アクセスで性能向上
  • ページバッファで高速読出
  • 書込バッファで書込短縮
  • ECCでデータ保護
  • 多段階保護で安全性向上
  • 高耐久で保守コスト削減
  • 長期保持で重要データ保護
  • 省電力で電池寿命延長
  • JEDEC互換で統合容易

用途

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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