Active and preferred
RoHS準拠

S29GL01GS11FHB023

データシート
パッケージ
ソフトウェア

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

S29GL01GS11FHB023
S29GL01GS11FHB023
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2035
  • Density
    1 GBit
  • インターフェース
    Parallel
  • インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)
    NA
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    GL-S
  • ページ アクセス時間
    15 ns
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 初期アクセス時間
    110 ns
  • 動作温度
    -40 °C to 105 °C
  • 動作電圧
    3 V
  • 認定
    Automotive
推奨
OPN
S29GL01GS11FHB023
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-LFBGA-64
パッケージ名 FBGA-64 (002-15536)
包装サイズ 1600
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-LFBGA-64
パッケージ名 FBGA-64 (002-15536)
包装サイズ 1600
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
S29GL01GS11FHB023は1 Gb MIRRORBIT™ Eclipse NORフラッシュメモリで、3.0 Vコアと1.65 V～3.6 Vの多様なI/O電圧範囲に対応します。16ビット並列データバス、最短15 nsのページアクセス、100 nsのランダムアクセス、512バイト書き込みバッファ、セクタごとに10万回の書き込み/消去、最大20年のデータ保持を実現。高度なセクタ保護、内部ECC、AEC-Q100グレード対応で組み込み用途の高密度・高信頼性を実現します。

機能

  • 65 nm MIRRORBIT™ Eclipse技術
  • CMOS 3.0 Vコアと多様なI/O
  • 単一電源で動作（2.7 V～3.6 V）
  • I/O電圧範囲1.65 V～VCC
  • 16ビットデータバス
  • 非同期32バイトページリード
  • 512バイト書き込みバッファ
  • 内部ECC単一ビット訂正
  • 128 KB均一セクタ
  • プログラム/消去中断対応
  • 高度なセクタ保護（ASP）
  • 1024バイトOTP領域

利点

  • 65 nm技術で高信頼性
  • 柔軟なI/Oで統合容易
  • 電源設計が簡単
  • 広いI/O電圧対応
  • 16ビットバスで高速転送
  • ページリードで高速アクセス
  • 大容量バッファで高速書込
  • ECCでデータ保護強化
  • セクタ管理が容易
  • プログラム/消去中断可能
  • 強力なデータ/セクタ保護
  • OTPで永久データ保存

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }