S29AS016J70BFI033

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S29AS016J70BFI033
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製品仕様情報

  • インターフェース
    Parallel
  • インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)
    NA
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    AS-J
  • メモリ容量
    16 MBit
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 初期アクセス時間
    70 ns
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 範囲
    1.65 V～1.95 V
  • 動作電圧
    1.8 V
  • 認定
    Industrial

OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
S29AS016J70BFI033は16 Mbit（2 M x 8ビット/1 M x 16ビット）、1.8 Vのブートセクタフラッシュメモリで、70 nsのアクセス時間、トップまたはボトムブートセクタ構成、x8/x16バス幅に対応します。1.65 V～1.95 V単一電源動作、AEC-Q100グレード2（-40°C～+105°C）準拠の高信頼性を備え、高度なセクタグループ保護、ハードウェアリセット、超低消費電力モードにより、高速かつ信頼性の高いコードストレージが求められる車載・産業用途に最適です。

特長

  • 単一1.8 V電源で動作
  • x8/x16切替データバス
  • 70 nsアクセス時間
  • Unlock Bypassで高速書込
  • 組込プログラム/消去アルゴリズム
  • ハードウェアセクタ保護
  • 待機・自動スリープモード
  • Data# Polling・Toggle Bit状態
  • RESET#ハードウェアリセット
  • CFI準拠
  • 100万回/セクタ書換
  • 20年データ保持

利点

  • 1.8 Vで電源設計が容易
  • 8/16ビット両対応
  • 高速CPUアクセス実現
  • 生産時の書込時間短縮
  • 自動制御で信頼性向上
  • 誤消去を防止
  • 低消費電力
  • 操作状態が簡単に確認
  • 障害時も即復旧
  • システム統合が容易
  • 頻繁な更新も高信頼
  • 長期データ保存が安心

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ