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S29AL008J55BFIR20
生産終了
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RoHS対応

S29AL008J55BFIR20

生産終了

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製品仕様情報

  • インターフェース
    Parallel
  • インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)
    NA
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    AL-J
  • メモリ容量
    8 MBit
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 初期アクセス時間
    55 ns
  • 動作温度 範囲
    -40 °C~85 °C
  • 動作電圧 範囲
    2.7 V~3.6 V
  • 動作電圧
    3 V
  • 認定
    Industrial

OPN
S29AL008J55BFIR20
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 VFBGA-48 (002-19063)
梱包サイズ 338
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 Yes
組立国
TH
ウェハ製造国
US

製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 VFBGA-48 (002-19063)
梱包サイズ 338
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
TH
ウェハ製造国
US
S29AL008J55BFIR20は8 Mbit(1M×8ビット/512K×16ビット)、3 Vのブートセクタ型フラッシュメモリで、最大55 nsのアクセス時間により高速マイコン接続が可能です。2.7 V~3.6 Vの単一電源動作、スタンバイ・スリープ電流は0.2 µAまで低減。柔軟なセクタ構成、ハードウェアセクタ保護、各セクタ100万回の書換耐久性を持ち、AEC-Q100 Grade 1認定で–40°C~+125°Cの車載・産業用途に対応します。

特長

  • 単一2.7–3.6 V動作
  • 8 Mbit容量、x8/x16構成
  • 55 ns高速アクセス
  • 110 nmプロセス技術
  • セキュアID領域搭載
  • 柔軟なセクタ構成
  • セクタグループ保護/解除
  • アンロックバイパスで高速書込
  • 超低消費:0.2 µA待機/スリープ
  • 100万回/セクタ書換
  • 20年データ保持
  • JEDECコマンド互換

利点

  • 電源設計が簡単
  • 高速システム動作が可能
  • デバイス認証が強化
  • 柔軟なデータ管理
  • データ消失を防止
  • 書込時間を短縮
  • 待機電力を大幅削減
  • 頻繁な更新も安心
  • 長期データ保持
  • システム統合が容易
  • 標準プログラマ対応
  • システムエラー低減

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

開発者コミュニティ