Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

S26HS512TGABHV013

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S26HS512TGABHV013
S26HS512TGABHV013

Product details

  • Currently planned availability until at least
    2037
  • Density
    512 MBit
  • インターフェース
    HYPERBUS
  • インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)
    - / 200
  • インターフェース帯域幅
    400 MByte/s
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    HS-T
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 動作温度
    -40 °C to 105 °C
  • 動作電圧
    1.8 V
  • 認定
    Industrial
OPN
S26HS512TGABHV013
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 FBGA-24 (002-15550)
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 FBGA-24 (002-15550)
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
The S26HS512TGABHV013 belongs to Infineon's SEMPER™ NOR Flash Memory family, offering a density of 512 Mbit and utilizing HYPERBUS™ interface. The interface frequency for DDR is 200 MHz, with an operating voltage of 1.8 V. Superior bandwidth of 400 MByte/s ensures faster data transfer. It features Infineon's 45-nm MIRRORBIT™ technology that allows storing two data bits per memory array cell. The product is housed in Infineon's PG-BGA-24 package.

機能

  • xSPI (HYPERBUS™)
  • Integrated critical safety features
  • Error correction code
  • 10+ years product availability
  • 25 years of data retention
  • SafeBoot and diagnostics

用途

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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