Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

S26HS01GTGABHI030

EA.
在庫あり

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S26HS01GTGABHI030
S26HS01GTGABHI030
EA.

Product details

  • Currently planned availability until at least
    2035
  • Density
    1 GBit
  • インターフェース
    HYPERBUS
  • インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)
    - / 200
  • インターフェース帯域幅
    400 MByte/s
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    HS-T
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 動作温度
    -40 °C to 85 °C
  • 動作電圧
    1.8 V
  • 認定
    Industrial
OPN
S26HS01GTGABHI030
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 BGA-24 (002-22282)
包装サイズ 260
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 BGA-24 (002-22282)
包装サイズ 260
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
The S26HS01GTGABHI030 is a part of our SEMPER™ NOR Flash Memory family, offering a density of 1 Gbits. This powerful memory chip is designed with Infineon's 45-nm MIRRORBIT™ technology and supports a HYPERBUS interface with a bandwidth of 400 MBytes/s. Operating at 1.8V, this chip also offers an interface frequency (DDR) of 200 MHz and is housed in our PG-BGA-24 Infineon package.

機能

  • xSPI (HYPERBUS™)
  • Integrated critical safety features
  • Error correction code
  • 10+ years product availability
  • 25 years of data retention
  • SafeBoot and diagnostics

用途

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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