S26HL01GTFPBHI023
Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

S26HL01GTFPBHI023

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S26HL01GTFPBHI023
S26HL01GTFPBHI023

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2037
  • Density
    1 GBit
  • インターフェース
    HYPERBUS
  • インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)
    - / 166
  • インターフェース帯域幅
    333 MByte/s
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    HL-T
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ~ 85 °C
  • 動作電圧 (範囲)
    2.7 V ~ 3.6 V
  • 動作電圧
    3 V
  • 認定
    Industrial
OPN
S26HL01GTFPBHI023
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 BGA-24 (002-22282)
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 BGA-24 (002-22282)
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
S26HL01GTFPBHI023は、高速なコードおよびデータ保存向けのHYPERBUSインターフェースを備えた1 GbitのSEMPER™ HL‑T NORフラッシュメモリです。動作電圧は2.7 V~3.6 V、動作温度範囲は-40℃~+85℃ (産業用) で、最大166 MHz (333 MByte/s) までのDDR転送をサポートします。統合ECC (SECDED) 、インターフェースCRC、データ整合性CRC、SafeBoot、AutoBoot、および高度なセクター保護により、信頼性が向上します。ハロゲンフリー、RoHS対応。

特長

  • 45 nm MIRRORBIT™ (セルあたり2ビット)
  • HYPERBUS™ DDR読み出し: 最大400 MBps
  • JEDEC JESD251 xSPI互換
  • 読み出しキャプチャ用データ ストローブ (DS)
  • デフォルト ブート: x1 SPIまたはx8 HYPERBUS
  • 256 KBの均一セクターまたはハイブリッド セクター
  • 256/512バイトのページ プログラム バッファ
  • 16バイト データ単位の組込みECC
  • SECDED: 1ビット訂正、2ビット検出
  • ECCレポート: INT#、カウンター、トラップ
  • 高度なセクター保護: DYB/PPB
  • パスワード ロック可能な不揮発性保護

利点

  • ダイ面積あたりの高密度化
  • 高速なインプレース実行 (XIP) 読み出し
  • JEDECベースのホスト設計を簡素化
  • 高速読み出し時のマージンを拡大
  • ホスト モード間で柔軟にブート
  • 用途に応じて消去粒度を最適化
  • 書き込み回数を減らしてプログラムを高速化
  • ビット反転の自動修正
  • ダブルビット故障の早期検出
  • ECC故障のログ記録とデバッグが容易
  • 誤消去/誤プログラムを防止
  • 保護設定を安全にロック

用途

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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