S25HS512TDPMHM013

データシート

パッケージ

S25HS512TDPMHM013

データシート

製品仕様情報

Currently planned availability until at least

2037
Density

512 MBit
インターフェース

Quad SPI
インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)

133 / 66
インターフェース帯域幅

66 MByte/s
ピークリフロー温度

260 °C
ファミリー

HS-T
リードボール仕上げ

Matte Tin Plating
分類

ISO 26262-compliant
動作温度 (範囲)

-40 °C ～ 125 °C
動作電圧 (範囲)

1.7 V ～ 2 V
動作電圧

1.8 V
認定

Automotive

	推奨
OPN	S25HS512TDPMHM013
製品ステータス	active and preferred
インフィニオンパッケージ	PG-DSO-16
パッケージ名	SOIC-16 (002-15547)
包装サイズ	1450
包装形態	TAPE & REEL
水分レベル	3
モイスチャーパッキン	DRY
鉛フリー	Yes
ハロゲンフリー	Yes
RoHS準拠	Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス	Active
インフィニオンパッケージ	PG-DSO-16
パッケージ名	SOIC-16 (002-15547)
包装サイズ	1450
包装形態	TAPE & REEL
水分レベル	3
モイスチャーパッキン	DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応

S25HS512TDPMHM013は、コードおよびデータの保存向けにクアッドSPIインターフェースを備えた、512 MbitのSEMPER™ NORフラッシュ (HS-Tファミリー) です。動作電圧は1.7 V～2.0 V、動作温度範囲は-40℃～125℃で、133/66 MHzのSDR/DDRで最大66 MByte/sの帯域幅をサポートします。機能安全機能には、ECC (SECDED) 、SafeBoot、およびデータ整合性CRCによるISO 26262準拠の動作が含まれます。車載認定取得済み、RoHS準拠、ハロゲンフリー。

特長

45 nm MIRRORBIT™ (セルあたり2ビット)
均一またはハイブリッドセクターアーキテクチャ
256 KBセクター＋32×4 KBセクター
256 Bまたは512 Bプログラムバッファ
クアッドSPI: 1-1-4、1-4-4、4-4-4
クアッドSPI DDR読み出し: 最大102 MBps
16バイトデータ単位に対するハミングECC
SECDED: 1ビット訂正、2ビット検出
メモリアレイデータ整合性CRC
Endurance Flexウェアレベリング
ASP: DYB/PPBセクターごとの保護
1024バイトSSR (32個のロック領域)

利点

高密度化によりボード面積を削減
ブート＋データのレイアウトをMCUの要件に適合
小さなセクターにより、きめ細かな更新が可能
高速書き込みにより更新時間を短縮
柔軟なホストインターフェースをサポート
高速読み出しによりコードフェッチを高速化
ECCにより、実環境でのデータ信頼性が向上
安全のため、ダブルビット故障を検出
CRCフラグにより、破損した読み出しを早期に検出
ウェアレベリングによりフラッシュの寿命を延長
セクターごとのロックにより改ざんを防止
SSRによりIDとセキュアストレージが可能

用途

デザインリソース

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S25HS512TDPMHM013

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特長

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ドキュメント

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