S25HS512TDPBHI010

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S25HS512TDPBHI010

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製品仕様情報

Currently planned availability until at least

2037
Density

512 MBit
インターフェース

Quad SPI
インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)

133 / 66
インターフェース帯域幅

66 MByte/s
ピークリフロー温度

260 °C
ファミリー

HS-T
リードボール仕上げ

Sn/Ag/Cu
動作温度範囲

-40 °C～85 °C
動作電圧範囲

1.7 V～2 V
動作電圧

1.8 V
認定

Industrial

	推奨
OPN	S25HS512TDPBHI010
製品ステータス	active and preferred
インフィニオンパッケージ	PG-BGA-24
パッケージ名	FBGA-24 (002-15550)
梱包サイズ	338
梱包形態	TRAY
MSL (湿度感受性レベル)	3
防湿梱包	DRY
鉛フリー	Yes
ハロゲンフリー	Yes
RoHS対応	Yes
Infineon stock last updated:		個. 在庫あり

製品ステータス	Active
インフィニオンパッケージ	PG-BGA-24
パッケージ名	FBGA-24 (002-15550)
梱包サイズ	338
梱包形態	TRAY
MSL (湿度感受性レベル)	3
防湿梱包	DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠

個.

在庫あり

S25HS512TDPBHI010は、産業用システムにおけるコード保存およびセキュアブート向けの512 Mbit SEMPER™ NORフラッシュ (HS-Tファミリー) です。動作電圧は1.7 V～2.0 V、動作温度範囲は-40℃～85℃で、最大133 MHzのSDRまたは66 MHzのDDR (66 MByte/s) でクアッドSPIを使用します。安全性および整合性機能には、SECDED ECC、CRC、SafeBoot、Endurance Flexウェアレベリング、AutoBoot、セクター保護、および1024バイトのOTPアレイが含まれます。

特長

45 nm MIRRORBIT™ (セルあたり2ビット)
均一またはハイブリッドセクターアーキテクチャ
256 KBセクター＋32×4 KBセクター
256 Bまたは512 Bプログラムバッファ
クアッドSPI: 1-1-4、1-4-4、4-4-4
クアッドSPI DDR読み出し: 最大102 MBps
16バイトデータ単位に対するハミングECC
SECDED: 1ビット訂正、2ビット検出
メモリアレイデータ整合性CRC
Endurance Flexウェアレベリング
ASP: DYB/PPBセクターごとの保護
1024バイトSSR (32個のロック領域)

利点

高密度化によりボード面積を削減
ブート＋データのレイアウトをMCUの要件に適合
小さなセクターにより、きめ細かな更新が可能
高速書き込みにより更新時間を短縮
柔軟なホストインターフェースをサポート
高速読み出しによりコードフェッチを高速化
ECCにより、実環境でのデータ信頼性が向上
安全のため、ダブルビット故障を検出
CRCフラグにより、破損した読み出しを早期に検出
ウェアレベリングによりフラッシュの寿命を延長
セクターごとのロックにより改ざんを防止
SSRによりIDとセキュアストレージが可能

アプリケーション

デザインリソース

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S25HS512TDPBHI010

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製品仕様情報

特長

利点

アプリケーション

デザインリソース

パートナーソリューション

開発者コミュニティ

S25HS512TDPBHI010

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