S25HL01GTFABHI030
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

S25HL01GTFABHI030

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S25HL01GTFABHI030
S25HL01GTFABHI030

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2037
  • Density
    1 GBit
  • インターフェース
    Quad SPI
  • インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)
    166 / 102
  • インターフェース帯域幅
    102 MByte/s
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    HL-T
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 動作温度 範囲
    -40 °C~85 °C
  • 動作電圧 範囲
    2.7 V~3.6 V
  • 動作電圧
    3 V
  • 認定
    Industrial
OPN
S25HL01GTFABHI030
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 BGA-24 (002-22282)
梱包サイズ 2600
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 BGA-24 (002-22282)
梱包サイズ 2600
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
S25HL01GTFABHI030は、HL‑Tファミリーに属する1 GbitのSEMPER™ NORフラッシュで、クアッドSPIを搭載し、SDR 166 MHzおよびDDR 102 MHzの読み出し (最大102 MByte/s) をサポートしています。動作電圧は2.7 V~3.6 Vで、動作温度範囲は-40~85℃ (産業用) です。統合ECC (SECDED) 、データ整合性CRC、Endurance Flexウェアレベリング、SafeBoot、AutoBoot、および高度なセクター保護により、機能安全性とデータ信頼性の向上に役立ちます。

特長

  • 45 nm MIRRORBIT™ (セルあたり2ビット)
  • 均一またはハイブリッド セクター アーキテクチャ
  • 256 KBセクター+32×4 KBセクター
  • 256 Bまたは512 Bプログラム バッファ
  • クアッドSPI: 1-1-4、1-4-4、4-4-4
  • クアッドSPI DDR読み出し: 最大102 MBps
  • 16バイト データ単位に対するハミングECC
  • SECDED: 1ビット訂正、2ビット検出
  • メモリ アレイ データ整合性CRC
  • Endurance Flexウェアレベリング
  • ASP: DYB/PPBセクターごとの保護
  • 1024バイトSSR (32個のロック領域)

利点

  • 高密度化によりボード面積を削減
  • ブート+データのレイアウトをMCUの要件に適合
  • 小さなセクターにより、きめ細かな更新が可能
  • 高速書き込みにより更新時間を短縮
  • 柔軟なホスト インターフェースをサポート
  • 高速読み出しによりコード フェッチを高速化
  • ECCにより、実環境でのデータ信頼性が向上
  • 安全のため、ダブルビット故障を検出
  • CRCフラグにより、破損した読み出しを早期に検出
  • ウェアレベリングによりフラッシュの寿命を延長
  • セクターごとのロックにより改ざんを防止
  • SSRによりIDとセキュア ストレージが可能

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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