Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

S25FS512SDSBHI210

EA.
在庫あり

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S25FS512SDSBHI210
S25FS512SDSBHI210
EA.

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2035
  • Density
    512 MBit
  • インターフェース
    Quad SPI
  • インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)
    133 / 80
  • インターフェース帯域幅
    80 MByte/s
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    FS-S
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 動作温度
    -40 °C to 85 °C
  • 動作電圧
    1.8 V
  • 認定
    Industrial
OPN
S25FS512SDSBHI210
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 FBGA-24 (002-15534)
包装サイズ 338
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 FBGA-24 (002-15534)
包装サイズ 338
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
S25FS512SDSBHI210は65nm MIRRORBIT™技術とEclipseアーキテクチャを採用した512 Mb(64 MB)SPI NORフラッシュメモリです。シングル/デュアル/クワッドSPIマルチI/OおよびDDRリードコマンドに対応し、1.8 V動作で最大80 MB/sの読み出し速度を実現。柔軟なセクタ構成、256/512バイトページバッファ、OTPやパスワード保護など高度なセキュリティ機能を搭載し、AEC-Q100 Grade 2認証取得でコードシャドウ、XIP、高信頼性ストレージに最適です。

機能

  • マルチI/O対応SPI
  • DDR/SDRクロック選択可
  • 24/32ビットアドレス指定
  • S25FL SPIシリーズ互換
  • 多様なリードモード:ノーマル/高速/デュアル/クアッド/DDR
  • バースト・XIP対応
  • 256/512バイトページプログラムバッファ
  • プログラム・消去サスペンド/レジューム
  • 内蔵1ビット訂正ECC
  • ハイブリッド/ユニフォームセクター消去
  • 10万回書換保証
  • 20年データ保持

利点

  • 多様なホストに柔軟接続
  • 高速データ転送・高速起動
  • 大容量システムにも対応
  • 既存SPI設計から移行容易
  • 迅速・効率的なデータアクセス
  • XIPでシステム性能向上
  • 高速プログラムで更新効率化
  • プログラム/消去のダウンタイム最小化
  • 高いデータ信頼性・完全性
  • 多様な用途に柔軟なメモリ管理
  • 長寿命で厳しい用途にも対応
  • 重要データを長期間安全保存

用途

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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