S25FS512SAGNFI011
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

S25FS512SAGNFI011

個.
在庫あり

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S25FS512SAGNFI011
S25FS512SAGNFI011
個.

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2035
  • Density
    512 MBit
  • インターフェース
    Quad SPI
  • インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)
    133 / -
  • インターフェース帯域幅
    66 MByte/s
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    FS-S
  • リードボール仕上げ
    Matte Tin Plating
  • 動作温度 範囲
    -40 °C~85 °C
  • 動作電圧 範囲
    1.7 V~2 V
  • 動作電圧
    1.8 V
  • 認定
    Industrial
OPN
S25FS512SAGNFI011
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 DFN-8 (002-15552)
梱包サイズ 410
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 DFN-8 (002-15552)
梱包サイズ 410
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
S25FS512SAGNFI011は、65 nm MIRRORBIT™技術とEclipseアーキテクチャを採用した512 Mb(64 MB)SPI NORフラッシュメモリで、1.7 V~2.0 V動作に対応。最大80 MB/s(DDR Quad I/O)高速リード、256/512バイトの柔軟なページプログラム、ハイブリッドまたはユニフォームセクター消去を選択可能。AEC-Q100 Grade 1(-40°C~+125°C)自動車規格認証済みで、高度なセキュリティ、ECC、低待機電流を備え、組み込みや車載用途に最適。

特長

  • マルチI/O対応SPIインターフェース
  • クロックモード0/3対応
  • DDRモード対応
  • 24/32ビットアドレッシング
  • S25FLシリーズ互換コマンドセット
  • 多様なリードモード:ノーマル、ファスト、デュアル、クワッド、DDRクワ
  • バーストラップ、連続(XIP)、QPIモード
  • 256/512バイトページプログラムバッファ
  • 内部ECC単一ビット訂正
  • ハイブリッド/ユニフォームセクター消去
  • 10万回以上の書き換え耐久性
  • 20年以上のデータ保持

利点

  • 柔軟なI/Oで高速転送実現
  • DDRでスループット向上
  • 大容量バッファで書込速度向上
  • ECCでデータ信頼性向上
  • 多様な消去で設計柔軟
  • 高耐久で長寿命
  • 長期データ保持で安心
  • 低電圧で省電力
  • ディープパワーダウンで節電
  • OTPでシステムセキュリティ強化
  • 高度な保護で不正防止
  • 既存設計と互換

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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