S25FS128SAGNFB103
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

S25FS128SAGNFB103

データシート
パッケージ

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S25FS128SAGNFB103
S25FS128SAGNFB103
データシート

製品仕様情報

推奨
OPN
S25FS128SAGNFB103
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-WSON-8
パッケージ名 DFN-8 (002-18755)
梱包サイズ 4000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-WSON-8
パッケージ名 DFN-8 (002-18755)
梱包サイズ 4000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
S25FS128SAGNFB103は128 Mbit（16 MB）のシリアルNORフラッシュメモリで、65 nm MIRRORBIT™技術とEclipseアーキテクチャを採用し、高速なプログラム・消去を実現。動作電圧は1.7 V～2.0 V、SPIのシングル/デュアル/クワッドI/O対応、DDRクワッドモードで最大80 MBpsの読出し速度。ハイブリッド・均一セクタ、先進のセキュリティ、AEC-Q100 Grade 1自動車認証取得で、車載や組込み用途のコード格納やデータロギングに最適。

特長

  • マルチI/O対応SPIインターフェース
  • DDRリード対応
  • 24/32ビットアドレスモード
  • バースト・XIP・QPIモード対応
  • ハードウェアECC単一ビット訂正
  • ハイブリッド/ユニフォーム消去
  • 256/512バイトページバッファ
  • 10万回以上の書換え耐久
  • 最長20年データ保持
  • 電源電圧1.7 V～2.0 V
  • 動作温度–40°C～+125°C
  • JEDEC JESD216B/SFDP/CFI準拠

利点

  • マルチI/Oで転送速度向上
  • DDRリードで高スループット
  • 柔軟なアドレスで大容量対応
  • XIP/QPIで直接実行可能
  • ECCで信頼性向上
  • 多様な消去で設計容易
  • 大バッファで書込高速化
  • 高耐久で頻繁な更新に最適
  • 長期保持でデータ安全
  • 低電圧で消費電力削減
  • 広温度で過酷環境対応
  • JEDEC準拠で互換性確保

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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