S25FS064SDSMFN010
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

S25FS064SDSMFN010

データシート
パッケージ
ソフトウェア
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在庫あり

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S25FS064SDSMFN010
S25FS064SDSMFN010
個.
データシート


製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2035
  • インターフェース
    Quad SPI
  • インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)
    133 / 80
  • インターフェース帯域幅
    80 MByte/s
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    FS-S
  • メモリ容量
    64 MBit
  • リードボール仕上げ
    Matte Tin Plating
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～125 °C
  • 動作電圧 範囲
    1.7 V～2 V
  • 動作電圧
    1.8 V
  • 認定
    Industrial

推奨
OPN
S25FS064SDSMFN010
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (002-15548)
梱包サイズ 560
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
TH
ウェハ製造国
US
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (002-15548)
梱包サイズ 560
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
TH
ウェハ製造国
US
個.
在庫あり
S25FS064SDSMFN010は、65 nm MIRRORBIT™技術とEclipseアーキテクチャを採用した64 Mb（8 MB）車載グレードのシリアルNORフラッシュメモリです。SPI、デュアル、クワッドI/O対応、動作電圧1.7 V～2.0 V。DDRクワッドI/Oで最大80 MBpsの読出し、512バイトページプログラム、–40°C～+125°C（AEC-Q100 Grade 1）動作、高度なセクタ保護、10万回書換、20年データ保持で車載・組込み用途のコード格納・実行に最適です。

特長

  • SPIマルチI/Oインターフェース
  • DDRで高速データ転送
  • 24/32ビットアドレス対応
  • S25FLシリーズ互換コマンド
  • 多様なリードモード（通常/高速/デュアル/クアッド/DDR）
  • 256/512バイトページバッファ
  • 内部ECCで1ビット訂正
  • ハイブリッド/ユニフォーム消去
  • 10万回書換耐久
  • 20年データ保持
  • 1024バイトOTPロック領域
  • パスワード/ブート制御の高度保護

利点

  • マルチI/Oで柔軟な設計
  • DDRで高速動作
  • 24/32ビットで大容量対応
  • コマンド互換で移行容易
  • 多様なリードで性能最適化
  • 大容量バッファで高速書込
  • ECCで信頼性向上
  • 柔軟な消去で多用途対応
  • 高耐久で保守低減
  • 長期保持でデータ安全
  • OTPでセキュリティ強化
  • 高度保護で不正防止

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ