S25FL512SDSMFM010

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S25FL512SDSMFM010

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製品仕様情報

Currently planned availability until at least

2035
Density

512 MBit
インターフェース

Quad SPI
インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)

133 / 80
インターフェース帯域幅

80 MByte/s
ピークリフロー温度

260 °C
ファミリー

FL-S
リードボール仕上げ

Matte Tin Plating
分類

ISO 26262-ready
動作温度範囲

-40 °C～125 °C
動作電圧範囲

2.7 V～3.6 V
動作電圧

3 V
認定

Automotive

	推奨
OPN	S25FL512SDSMFM010
製品ステータス	active and preferred
インフィニオンパッケージ	PG-DSO-16
パッケージ名	SOIC-16 (002-15547)
梱包サイズ	480
梱包形態	TRAY
MSL (湿度感受性レベル)	3
防湿梱包	DRY
鉛フリー	Yes
ハロゲンフリー	Yes
RoHS対応	Yes
Infineon stock last updated:		個. 在庫あり

製品ステータス	Active
インフィニオンパッケージ	PG-DSO-16
パッケージ名	SOIC-16 (002-15547)
梱包サイズ	480
梱包形態	TRAY
MSL (湿度感受性レベル)	3
防湿梱包	DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠

個.

在庫あり

S25FL512SDSMFM010は512 MbのSPI NORフラッシュメモリで、インフィニオンの65 nm MIRRORBIT™技術とEclipse™アーキテクチャを採用し、プログラムおよび消去速度を向上。シングル、デュアル、クワッドのSPIマルチI/Oに対応し、SDR/DDRモードで最大80 MBps、2.7 V～3.6 Vコア電圧、1.65 V～3.6 V I/O電圧で動作。10万回の書き換え、20年データ保持、ECC内蔵で、コードシャドウ、XIP、安全なデータ保存に最適。

特長

CMOS 3.0 Vコアと多用途I/O
SPIインターフェース多I/O対応
512 Mb (64 MB)容量
SPIクロック最大133 MHz
クアッド/デュアル/DDRリード
512バイトページプログラムバッファ
自動ECC単一ビット訂正
均一256 KBセクタ
10万回書換え耐久性
20年データ保持
1024バイトOTPセキュア領域
ブロック・高度セクタ保護

利点

多用途I/Oで柔軟な設計
マルチI/O SPIで高速転送
大容量で多様な保存
133 MHz SPIで高速アクセス
クアッド/DDRで読出し高速
大バッファで書込速度向上
ECCで信頼性向上
均一セクタで管理容易
高耐久で長寿命
20年データ安全
OTP領域でセキュリティ強化
高度保護でデータ安全

アプリケーション

デザインリソース

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S25FL512SDSMFM010

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特長

利点

アプリケーション

デザインリソース

パートナーソリューション

開発者コミュニティ

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