S25FL512SAGMFIG11
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

S25FL512SAGMFIG11

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パッケージ
ソフトウェア
個.
在庫あり

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S25FL512SAGMFIG11
S25FL512SAGMFIG11
個.
データシート


製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2035
  • インターフェース
    Quad SPI
  • インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)
    133 / -
  • インターフェース帯域幅
    52 MByte/s
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    FL-S
  • メモリ容量
    512 MBit
  • リードボール仕上げ
    Matte Tin Plating
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 範囲
    2.7 V～3.6 V
  • 動作電圧
    3 V
  • 認定
    Industrial

推奨
OPN
S25FL512SAGMFIG11
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-DSO-16
パッケージ名 SOIC-16 (002-15547)
梱包サイズ 235
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
長期供給予定期限 2035
発売開始日 03/2022
組立国
TW
ウェハ製造国
CN,US
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-DSO-16
パッケージ名 SOIC-16 (002-15547)
梱包サイズ 235
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
長期供給予定期限 2035
発売開始日 03/2022
組立国
TW
ウェハ製造国
CN,US
個.
在庫あり
S25FL512SAGMFIG11は512 MbのSPIマルチI/O NORフラッシュメモリで、MIRRORBIT™技術とEclipse™アーキテクチャを採用。最大80 MBps（DDR Quad、80 MHz）の読み出し、最低100,000回のプログラム・消去サイクル、20年のデータ保持を実現。コア電圧2.7 V～3.6 V、I/O電圧1.65 V～3.6 V、最高125°Cまでの産業・車載温度範囲に対応。高度なセクタ保護、自動ECC、AutoBoot機能により、組み込みシステムのコードシャドウとXIPを安全に実現。

特長

  • 3.0 Vコア多機能I/O
  • SPIマルチI/O：シングル・デュアル・クアッド
  • 全I/OモードDDR読出し
  • 512バイトページプログラムバッファ
  • 自動ECC単一ビット訂正
  • 均一256 KBセクター消去
  • 最小10万回書換耐性
  • 最小20年データ保持
  • 1024バイトOTPセキュア領域
  • 高度なセクター・ブロック保護
  • 電源電圧2.7-3.6 V
  • I/O電圧1.65 V～VCC+200 mV

利点

  • 柔軟なインターフェース
  • DDR・クアッドI/Oで高速転送
  • 大容量バッファで高速書込
  • ECCで信頼性向上
  • セクター管理が容易
  • 頻繁な更新にも高耐久
  • 長期データ保持
  • OTP領域で認証強化
  • 強力な誤操作防止
  • 広電圧で設計容易
  • エラー報告でデータ保護
  • 旧SPIフラッシュ互換

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ